مواصفات التكنولوجيا 1N6097
المواصفات الفنية Vishay General Semiconductor - Diodes Division - 1N6097 والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - 1N6097
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 600 mV @ 10 A | |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 30 V | |
| تكنولوجيا | Schottky | |
| تجار الأجهزة حزمة | DO-203AB (DO-5) | |
| سرعة | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| سلسلة | - | |
| حزمة / كيس | DO-203AB, DO-5, Stud |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| طَرد | Bulk | |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -65°C ~ 125°C | |
| تصاعد نوع | Chassis, Stud Mount | |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 75 mA @ 30 V | |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 50A | |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | - | |
| رقم المنتج الأساسي | 1N6097 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N6097.
| سمة المنتج |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | 1N6097 | 1N6095R | 1N6098 | 1N6098 |
| الصانع | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | GeneSiC Semiconductor | Microchip Technology | Solid State Inc. |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 50A | 25A | 50A | 50A |
| سلسلة | - | - | - | - |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 600 mV @ 10 A | 580 mV @ 25 A | 600 mV @ 10 A | 860 mV @ 157 A |
| حزمة / كيس | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud |
| طَرد | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | - | - | - | 7000pF @ 1V, 1MHz |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 75 mA @ 30 V | 2 mA @ 20 V | 5 mA @ 30 V | 250 mA @ 40 V |
| رقم المنتج الأساسي | 1N6097 | 1N6095R | - | - |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -65°C ~ 125°C | -55°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 125°C |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 30 V | 30 V | 40 V | 40 V |
| تكنولوجيا | Schottky | Schottky, Reverse Polarity | Schottky | Schottky |
| تجار الأجهزة حزمة | DO-203AB (DO-5) | DO-4 | DO-5 (DO-203AB) | DO-5 |
| تصاعد نوع | Chassis, Stud Mount | Chassis, Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount |
| سرعة | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
قم بتنزيل أوراق بيانات 1N6097 PDF ووثائق Vishay General Semiconductor - Diodes Division لـ 1N6097 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division.
1N6095RGeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY REV 30V 25A DO41N6098Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 40V 50A DO51N6094MICROPAC1N6098JANTXMOTOROLA/IRIGBT Module1N6098Solid State Inc.DIODE SCHOTTKY 40V 50A DO51N6095GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 30V 25A DO41N6098GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 40V 50A DO51N60G-A/SOT-223UTC1N6097Microchip TechnologySCHOTTKY RECTIFIER1N6096Microchip TechnologySCHOTTKY RECTIFIER1N6097Solid State Inc.DIODE SCHOTTKY 30V 50A DO51N6096GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 40V 25A DO41N6097GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 30V 50A DO51N6095Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 30V 25A DO203AA1N60AL-B-T92-KUTC1N6097JANTXMOTOROLA/IRIGBT Module1N60G-A-AA3-RUTC
1N6075Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 150V 850MA AXIAL| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.