مواصفات التكنولوجيا 249NQ135
المواصفات الفنية Vishay General Semiconductor - Diodes Division - 249NQ135 والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - 249NQ135
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1.07 V @ 240 A | |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 135 V | |
| تكنولوجيا | Schottky | |
| تجار الأجهزة حزمة | D-67 HALF-PAK | |
| سرعة | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| سلسلة | - |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| حزمة / كيس | D-67 HALF-PAK | |
| طَرد | Bulk | |
| تصاعد نوع | Chassis Mount | |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 6 mA @ 135 V | |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 240A | |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | 6000pF @ 5V, 1MHz | |
| رقم المنتج الأساسي | 249NQ135 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Vishay General Semiconductor - Diodes Division 249NQ135.
| سمة المنتج |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | 249NQ135 | 1N3161 | SFAF504G | MBR140SFT3G |
| الصانع | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Solid State Inc. | Taiwan Semiconductor Corporation | onsemi |
| حزمة / كيس | D-67 HALF-PAK | DO-205AB, DO-9, Stud | TO-220-2 Full Pack | SOD-123F |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 135 V | 50 V | 200 V | 40 V |
| سلسلة | - | - | - | - |
| طَرد | Bulk | Box | Tube | Tape & Reel (TR) |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 240A | 240A | 5A | 1A |
| تكنولوجيا | Schottky | Standard | Standard | Schottky |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | 6000pF @ 5V, 1MHz | - | 70pF @ 4V, 1MHz | - |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 6 mA @ 135 V | 75 µA @ 50 V | 10 µA @ 200 V | 500 µA @ 40 V |
| سرعة | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| رقم المنتج الأساسي | 249NQ135 | - | SFAF504 | MBR140 |
| تصاعد نوع | Chassis Mount | Stud Mount | Through Hole | Surface Mount |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1.07 V @ 240 A | 1.25 V @ 240 A | 975 mV @ 5 A | 550 mV @ 1 A |
| تجار الأجهزة حزمة | D-67 HALF-PAK | DO-9 | ITO-220AC | SOD-123FL |
قم بتنزيل أوراق بيانات 249NQ135 PDF ووثائق Vishay General Semiconductor - Diodes Division لـ 249NQ135 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division.
1N3161Solid State Inc.DIODE GEN PURP 50V 240A DO9SFAF504GTaiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 200V 5A ITO220ACMBR140SFT3GonsemiDIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD123FL
249OHMS1Ohmite
P1000MDiotec SemiconductorDIODE GEN PURP 1KV 10A P600
UF1JLWHRVGTSC (Taiwan Semiconductor)DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123W249NQ150RIRIGBT Module
C5D05170HWolfspeed, Inc.5A, 1700V, G5 ZREC SIC SCHOTTKY249NQ150PBFIRIGBT Module
B280-13-FDiodes IncorporatedDIODE SCHOTTKY 80V 2A SMBCDBB540-GComchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 40V 5A DO214AAS1M-13-FDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 1KV 1A SMA
SK310ATaiwan Semiconductor CorporationDIODE SCHOTTKY 100V 3A DO214AC24921154CREDENCE249NQ135RIRIGBT Module
ES1PD-M3/85AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 200V 1A DO220AA249NQ150IGBT Module
BAS21W-7-FDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 200V 200MA SOT323| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.