مواصفات التكنولوجيا BYG22BHE3_A/H
المواصفات الفنية Vishay General Semiconductor - Diodes Division - BYG22BHE3_A/H والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - BYG22BHE3_A/H
سمة المنتج | قيمة السمة | |
---|---|---|
الصانع | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1.1 V @ 2 A | |
الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 100 V | |
تكنولوجيا | Avalanche | |
تجار الأجهزة حزمة | DO-214AC (SMA) | |
سرعة | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
سلسلة | Automotive, AEC-Q101 | |
عكس وقت الاسترداد (TRR) | 25 ns |
سمة المنتج | قيمة السمة | |
---|---|---|
حزمة / كيس | DO-214AC, SMA | |
طَرد | Tape & Reel (TR) | |
درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -55°C ~ 150°C | |
تصاعد نوع | Surface Mount | |
التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 1 µA @ 100 V | |
الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 2A | |
السعة @ الواقع الافتراضي، F | - | |
رقم المنتج الأساسي | BYG22 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYG22BHE3_A/H.
سمة المنتج | ||||
---|---|---|---|---|
رقم القطعة | BYG22BHE3_A/H | BYG22DHM3_A/I | BYG22D-E3/TR3 | BYG22A-E3/TR |
الصانع | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 2A | 2A | 2A | 2A |
السعة @ الواقع الافتراضي، F | - | - | - | - |
عكس وقت الاسترداد (TRR) | 25 ns | 25 ns | 25 ns | 25 ns |
حزمة / كيس | DO-214AC, SMA | DO-214AC, SMA | DO-214AC, SMA | DO-214AC, SMA |
الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1.1 V @ 2 A | 1.1 V @ 2 A | 1.1 V @ 2 A | 1.1 V @ 2 A |
الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 100 V | 200 V | 200 V | 50 V |
طَرد | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
تجار الأجهزة حزمة | DO-214AC (SMA) | DO-214AC (SMA) | DO-214AC (SMA) | DO-214AC (SMA) |
سرعة | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C |
التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 1 µA @ 100 V | 1 µA @ 200 V | 1 µA @ 200 V | 1 µA @ 50 V |
رقم المنتج الأساسي | BYG22 | BYG22 | BYG22 | BYG22 |
سلسلة | Automotive, AEC-Q101 | Automotive, AEC-Q101 | - | - |
تصاعد نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
تكنولوجيا | Avalanche | Avalanche | Avalanche | Avalanche |
قم بتنزيل أوراق بيانات BYG22BHE3_A/H PDF ووثائق Vishay General Semiconductor - Diodes Division لـ BYG22BHE3_A/H - Vishay General Semiconductor - Diodes Division.
البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
---|---|---|
منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
البرازيل | 7 | |
أوروبا | ألمانيا | 5 |
المملكة المتحدة | 4 | |
إيطاليا | 5 | |
أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
نيوزيلندا | 5 | |
آسيا | الهند | 4 |
اليابان | 4 | |
الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
مرجع شحن DHL & FedEx | |
---|---|
رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.