مواصفات التكنولوجيا BZT55C24-GS08
المواصفات الفنية Vishay General Semiconductor - Diodes Division - BZT55C24-GS08 والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - BZT55C24-GS08
سمة المنتج | قيمة السمة | |
---|---|---|
الصانع | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
الجهد - زينر (الإسمي) (فز) | 24 V | |
الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1.5 V @ 200 mA | |
تسامح | ±5% | |
تجار الأجهزة حزمة | SOD-80 QuadroMELF | |
سلسلة | Automotive, AEC-Q101, BZT55 | |
السلطة - ماكس | 500 mW |
سمة المنتج | قيمة السمة | |
---|---|---|
حزمة / كيس | SOD-80 Variant | |
طَرد | Tape & Reel (TR) | |
درجة حرارة التشغيل | -65°C ~ 175°C | |
تصاعد نوع | Surface Mount | |
مقاومة (ماكس) (Zzt) | 80 Ohms | |
التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 100 nA @ 18 V | |
رقم المنتج الأساسي | BZT55C24 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT55C24-GS08.
سمة المنتج | ||||
---|---|---|---|---|
رقم القطعة | BZT55C24-GS08 | BZT55C3V3-GS08 | BZT55C33-GS08 | BZT55C12-GS08 |
الصانع | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1.5 V @ 200 mA | 1.5 V @ 200 mA | 1.5 V @ 200 mA | 1.5 V @ 200 mA |
الجهد - زينر (الإسمي) (فز) | 24 V | 3.3 V | 33 V | 12 V |
مقاومة (ماكس) (Zzt) | 80 Ohms | 90 Ohms | 80 Ohms | 20 Ohms |
درجة حرارة التشغيل | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C |
تجار الأجهزة حزمة | SOD-80 QuadroMELF | SOD-80 QuadroMELF | SOD-80 QuadroMELF | SOD-80 QuadroMELF |
رقم المنتج الأساسي | BZT55C24 | BZT55C3V3 | BZT55C33 | BZT55C12 |
حزمة / كيس | SOD-80 Variant | SOD-80 Variant | SOD-80 Variant | SOD-80 Variant |
تصاعد نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
طَرد | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
سلسلة | Automotive, AEC-Q101, BZT55 | Automotive, AEC-Q101, BZT55 | Automotive, AEC-Q101, BZT55 | Automotive, AEC-Q101, BZT55 |
تسامح | ±5% | ±5% | ±5% | ±5% |
التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 100 nA @ 18 V | 2 µA @ 1 V | 100 nA @ 24 V | 100 nA @ 9.1 V |
السلطة - ماكس | 500 mW | 500 mW | 500 mW | 500 mW |
قم بتنزيل أوراق بيانات BZT55C24-GS08 PDF ووثائق Vishay General Semiconductor - Diodes Division لـ BZT55C24-GS08 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division.
البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
---|---|---|
منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
البرازيل | 7 | |
أوروبا | ألمانيا | 5 |
المملكة المتحدة | 4 | |
إيطاليا | 5 | |
أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
نيوزيلندا | 5 | |
آسيا | الهند | 4 |
اليابان | 4 | |
الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
مرجع شحن DHL & FedEx | |
---|---|
رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.