مواصفات التكنولوجيا GBU4K-E3/51
المواصفات الفنية Vishay General Semiconductor - Diodes Division - GBU4K-E3/51 والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - GBU4K-E3/51
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
| الجهد - قمة عكسي (ماكس) | 800 V | |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1 V @ 4 A | |
| تكنولوجيا | Standard | |
| تجار الأجهزة حزمة | GBU | |
| سلسلة | - | |
| حزمة / كيس | 4-SIP, GBU |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| طَرد | Bulk | |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| نوع الصمام الثنائي | Single Phase | |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 5 µA @ 800 V | |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 3 A | |
| رقم المنتج الأساسي | GBU4 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Vishay General Semiconductor - Diodes Division GBU4K-E3/51.
| سمة المنتج |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | GBU4K-E3/51 | GBU410 | GBU4J-E3/45 | GBU4K-E3/45 |
| الصانع | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| رقم المنتج الأساسي | GBU4 | - | GBU4 | GBU4 |
| طَرد | Bulk | Tube | Tube | Tube |
| الجهد - قمة عكسي (ماكس) | 800 V | 1 kV | 600 V | 800 V |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 5 µA @ 800 V | 5 µA @ 1000 V | 5 µA @ 600 V | 5 µA @ 800 V |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| حزمة / كيس | 4-SIP, GBU | 4-ESIP, GBU | 4-SIP, GBU | 4-SIP, GBU |
| تصاعد نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| نوع الصمام الثنائي | Single Phase | Single Phase | Single Phase | Single Phase |
| تكنولوجيا | Standard | Standard | Standard | Standard |
| سلسلة | - | - | - | - |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 3 A | 4 A | 3 A | 3 A |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1 V @ 4 A | 1 V @ 2 A | 1 V @ 4 A | 1 V @ 4 A |
| تجار الأجهزة حزمة | GBU | GBU | GBU | GBU |
قم بتنزيل أوراق بيانات GBU4K-E3/51 PDF ووثائق Vishay General Semiconductor - Diodes Division لـ GBU4K-E3/51 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division.
GBU4K-LS-LFLISIONGBU410Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdRECT BRIDGE 1000V 4A GBU
GBU4JL-6088E3/22Electro-Films (EFI) / VishayGBU4KL-7014E3Electro-Films (EFI) / VishayGBU4K_B0_100A2PANJITGBU4J-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionBRIDGE RECT 1PHASE 600V 3A GBUGBU4J-E3/54Electro-Films (EFI) / VishayGBU4K-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionBRIDGE RECT 1PHASE 800V 3A GBU
GBU410SMC Diode SolutionsBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 4A GBUGBU6005Diodes IncorporatedBRIDGE RECT 1PHASE 50V 6A GBUGBU410Diodes IncorporatedBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 4A GBU
GBU601-01Diodes IncorporatedGBU6005SMC Diode SolutionsBRIDGE RECT 1PHASE 50V 6A GBUGBU4J-E3/51Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionBRIDGE RECT 1PHASE 600V 4A GBUGBU4J_B0_10001-PECPANJIT
GBU4M-GComchip TechnologyBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 4A GBUGBU4M-E3/51Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 3A GBUGBU4M_B0_100A2-PECPANJIT| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.