مواصفات التكنولوجيا IMBD4148-HE3-08
المواصفات الفنية Vishay General Semiconductor - Diodes Division - IMBD4148-HE3-08 والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - IMBD4148-HE3-08
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1 V @ 10 mA | |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 75 V | |
| تكنولوجيا | Standard | |
| تجار الأجهزة حزمة | SOT-23-3 | |
| سرعة | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | |
| سلسلة | Automotive, AEC-Q101 | |
| عكس وقت الاسترداد (TRR) | 4 ns |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| حزمة / كيس | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| طَرد | Tape & Reel (TR) | |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | 150°C (Max) | |
| تصاعد نوع | Surface Mount | |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 2.5 µA @ 70 V | |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 150mA | |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | - | |
| رقم المنتج الأساسي | IMBD4148 |
| يصف | وصف |
|---|---|
| حالة RoHs | |
| مستوى حساسية الرطوبة (MSL) | 1 (Unlimited) |
| الوصول إلى الحالة | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Vishay General Semiconductor - Diodes Division IMBD4148-HE3-08.
| سمة المنتج |  |
|
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | IMBD4148-HE3-08 | IMBD4148-E3-08 | IMBF170R1K0M1 | IMB7AT108 |
| الصانع | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Infineon | Rohm Semiconductor |
| عكس وقت الاسترداد (TRR) | 4 ns | 4 ns | - | - |
| طَرد | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | - | Tape & Reel (TR) |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1 V @ 10 mA | 1 V @ 10 mA | - | - |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | - | 4pF @ 0V, 1MHz | - | - |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 75 V | 75 V | - | - |
| رقم المنتج الأساسي | IMBD4148 | IMBD4148 | - | IMB7 |
| سلسلة | Automotive, AEC-Q101 | - | - | - |
| تكنولوجيا | Standard | Standard | - | - |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | 150°C (Max) | -55°C ~ 150°C | - | - |
| تصاعد نوع | Surface Mount | Surface Mount | - | Surface Mount |
| تجار الأجهزة حزمة | SOT-23-3 | SOT-23-3 | - | SOT-457 |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 2.5 µA @ 70 V | 2.5 µA @ 70 V | - | - |
| سرعة | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | - | - |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 150mA | 150mA | - | - |
| حزمة / كيس | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | - | SOT-457 |
قم بتنزيل أوراق بيانات IMBD4148-HE3-08 PDF ووثائق Vishay General Semiconductor - Diodes Division لـ IMBD4148-HE3-08 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division.
IMBF170R1K0M1InfineonIMB7AT108Rohm SemiconductorTRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT457
IMBD4148-V-GS08Electro-Films (EFI) / Vishay
IMB9AT110Rohm SemiconductorTRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6IMBD4148-GS08Electro-Films (EFI) / VishayIMBD4448-V-GS08Electro-Films (EFI) / VishayIMBD4148E9Electro-Films (EFI) / VishayIMBD4148Electro-Films (EFI) / Vishay
IMBD4448Cannon (ITT Cannon)IMB7A T108LAPIS TechnologyIMB9AT108LAPIS TechnologyIMBF170R450M1Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IMBD4148-E3-08Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23-3IMB6 T108LAPIS TechnologyIMBF170R450M1XTMA1InfineonIMB9T110LAPIS TechnologyIMBF170R1K0M1XTMA1Infineon TechnologiesSICFET N-CH 1700V 5.2A TO263-7
IMBD4148NE0Diodes Incorporated| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ يرجى إضافة إلى CART ، وسوف نتصل بك على الفور.