مواصفات التكنولوجيا US1M-M3/61T
المواصفات الفنية Vishay General Semiconductor - Diodes Division - US1M-M3/61T والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - US1M-M3/61T
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1.7 V @ 1 A | |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 1000 V | |
| تكنولوجيا | Standard | |
| تجار الأجهزة حزمة | DO-214AC (SMA) | |
| سرعة | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| سلسلة | - | |
| عكس وقت الاسترداد (TRR) | 75 ns |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| حزمة / كيس | DO-214AC, SMA | |
| طَرد | Tape & Reel (TR) | |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -55°C ~ 150°C | |
| تصاعد نوع | Surface Mount | |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 10 µA @ 1000 V | |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 1A | |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | 10pF @ 4V, 1MHz | |
| رقم المنتج الأساسي | US1 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Vishay General Semiconductor - Diodes Division US1M-M3/61T.
| سمة المنتج |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | US1M-M3/61T | US1M-TP | US1M-HF | US1M-M3/5AT |
| الصانع | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Micro Commercial Co | Comchip Technology | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| تكنولوجيا | Standard | Standard | Standard | Standard |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 1000 V | 1000 V | 1000 V | 1000 V |
| رقم المنتج الأساسي | US1 | US1M | US1M | US1M |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 1A | 1A | 1A | 1A |
| تصاعد نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1.7 V @ 1 A | 1.4 V @ 2 A | 1.65 V @ 1 A | 1.7 V @ 1 A |
| سلسلة | - | - | - | - |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 10 µA @ 1000 V | 10 µA @ 1000 V | 5 µA @ 1000 V | 10 µA @ 1000 V |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | 10pF @ 4V, 1MHz | 10pF @ 4V, 1MHz | 15pF @ 4V, 1MHz | - |
| طَرد | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| تجار الأجهزة حزمة | DO-214AC (SMA) | DO-214AC (SMA) | DO-214AC (SMA) | DO-214AC (SMA) |
| حزمة / كيس | DO-214AC, SMA | DO-214AC, SMA | DO-214AC, SMA | DO-214AC, SMA |
| سرعة | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -55°C ~ 150°C | -65°C ~ 175°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C |
| عكس وقت الاسترداد (TRR) | 75 ns | 100 ns | 75 ns | - |
قم بتنزيل أوراق بيانات US1M-M3/61T PDF ووثائق Vishay General Semiconductor - Diodes Division لـ US1M-M3/61T - Vishay General Semiconductor - Diodes Division.
US1M-R1-00101PANJITUS1MAUJIEJIEUS1M-TGWILLAS
US1M-E3Electro-Films (EFI) / VishayUS1M-TPMicro Commercial CoDIODE GEN PURP 1KV 1A DO214ACUS1M-E3-61TElectro-Films (EFI) / Vishay
US1M/UF4007TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and StoraUS1M-R1-10001PANJITUS1M-HFComchip TechnologyDIODE GEN PURP 1KV 1A DO214ACUS1M-M3/5ATVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 1KV 1A DO214ACUS1M-E3/61T/RS1MElectro-Films (EFI) / VishayUS1M-E3/61TVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 1KV 1A DO214ACUS1M-E3/5ATVishayUS1M-R1PANJITUS1M-TP-HFMicro Commercial CoInterface
US1M-FLITEONUS1M-E3/61Electro-Films (EFI) / Vishay
US1MDFQ-13Diodes IncorporatedDIODE GEN PURP 1KV 1A DFLAT| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.