مواصفات التكنولوجيا VS-8EWF10S-M3
المواصفات الفنية Vishay General Semiconductor - Diodes Division - VS-8EWF10S-M3 والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - VS-8EWF10S-M3
سمة المنتج | قيمة السمة | |
---|---|---|
الصانع | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1.3 V @ 8 A | |
الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 1000 V | |
تكنولوجيا | Standard | |
تجار الأجهزة حزمة | D-PAK (TO-252AA) | |
سرعة | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
سلسلة | - | |
عكس وقت الاسترداد (TRR) | 270 ns |
سمة المنتج | قيمة السمة | |
---|---|---|
حزمة / كيس | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
طَرد | Tube | |
درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -40°C ~ 150°C | |
تصاعد نوع | Surface Mount | |
التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 100 µA @ 1000 V | |
الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 8A | |
السعة @ الواقع الافتراضي، F | - | |
رقم المنتج الأساسي | 8EWF10 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-8EWF10S-M3.
سمة المنتج | ||||
---|---|---|---|---|
رقم القطعة | VS-8EWF10S-M3 | VS-8EWF12STRPBF | VS-8EWF02STR-M3 | VS-8EWH06FNTRLHM3 |
الصانع | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
سلسلة | - | - | - | Automotive, AEC-Q101, FRED Pt® |
الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 1000 V | 1200 V | 200 V | 600 V |
التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 100 µA @ 1000 V | 100 µA @ 1200 V | 100 µA @ 200 V | 50 µA @ 600 V |
تجار الأجهزة حزمة | D-PAK (TO-252AA) | D-PAK (TO-252AA) | D-PAK (TO-252AA) | D-PAK (TO-252AA) |
رقم المنتج الأساسي | 8EWF10 | 8EWF12 | 8EWF02 | 8EWH06 |
سرعة | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
السعة @ الواقع الافتراضي، F | - | - | - | - |
درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -40°C ~ 150°C | -40°C ~ 150°C | -40°C ~ 150°C | -65°C ~ 175°C |
تصاعد نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 8A | 8A | 8A | 8A |
الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1.3 V @ 8 A | 1.3 V @ 8 A | 1.2 V @ 8 A | 2.4 V @ 8 A |
عكس وقت الاسترداد (TRR) | 270 ns | 270 ns | 55 ns | 25 ns |
تكنولوجيا | Standard | Standard | Standard | Standard |
طَرد | Tube | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
حزمة / كيس | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
قم بتنزيل أوراق بيانات VS-8EWF10S-M3 PDF ووثائق Vishay General Semiconductor - Diodes Division لـ VS-8EWF10S-M3 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division.
البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
---|---|---|
منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
البرازيل | 7 | |
أوروبا | ألمانيا | 5 |
المملكة المتحدة | 4 | |
إيطاليا | 5 | |
أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
نيوزيلندا | 5 | |
آسيا | الهند | 4 |
اليابان | 4 | |
الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
مرجع شحن DHL & FedEx | |
---|---|
رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.