مواصفات التكنولوجيا VS-HFA25PB60-N3
المواصفات الفنية Vishay General Semiconductor - Diodes Division - VS-HFA25PB60-N3 والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - VS-HFA25PB60-N3
سمة المنتج | قيمة السمة | |
---|---|---|
الصانع | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1.7 V @ 25 A | |
الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 600 V | |
تكنولوجيا | Standard | |
تجار الأجهزة حزمة | TO-247AC Modified | |
سرعة | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
سلسلة | HEXFRED® | |
عكس وقت الاسترداد (TRR) | 75 ns |
سمة المنتج | قيمة السمة | |
---|---|---|
حزمة / كيس | TO-247-2 | |
طَرد | Tube | |
درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -55°C ~ 150°C | |
تصاعد نوع | Through Hole | |
التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 20 µA @ 600 V | |
الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 25A | |
السعة @ الواقع الافتراضي، F | - | |
رقم المنتج الأساسي | HFA25 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-HFA25PB60-N3.
سمة المنتج | ||||
---|---|---|---|---|
رقم القطعة | VS-HFA25PB60-N3 | VS-HFA15TB60-M3 | VS-HFA70EA120 | VS-HFA220FA120 |
الصانع | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
سلسلة | HEXFRED® | HEXFRED® | HEXFRED® | HEXFRED® |
الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 25A | 15A | - | - |
تجار الأجهزة حزمة | TO-247AC Modified | TO-220AC | SOT-227 | SOT-227 |
حزمة / كيس | TO-247-2 | TO-220-2 | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227-4, miniBLOC |
طَرد | Tube | Tube | Bulk | Tube |
تصاعد نوع | Through Hole | Through Hole | Chassis Mount | Chassis Mount |
السعة @ الواقع الافتراضي، F | - | - | - | - |
تكنولوجيا | Standard | Standard | Standard | Standard |
الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1.7 V @ 25 A | 2 V @ 30 A | 3 V @ 30 A | 3.6 V @ 100 A |
التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 20 µA @ 600 V | 10 µA @ 600 V | 75 µA @ 1200 V | 75 µA @ 1200 V |
رقم المنتج الأساسي | HFA25 | HFA15 | HFA70 | HFA220 |
سرعة | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | - | - |
الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 600 V | 600 V | 1200 V | 1200 V |
عكس وقت الاسترداد (TRR) | 75 ns | 60 ns | 145 ns | 58 ns |
قم بتنزيل أوراق بيانات VS-HFA25PB60-N3 PDF ووثائق Vishay General Semiconductor - Diodes Division لـ VS-HFA25PB60-N3 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division.
البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
---|---|---|
منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
البرازيل | 7 | |
أوروبا | ألمانيا | 5 |
المملكة المتحدة | 4 | |
إيطاليا | 5 | |
أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
نيوزيلندا | 5 | |
آسيا | الهند | 4 |
اليابان | 4 | |
الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
مرجع شحن DHL & FedEx | |
---|---|
رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.