مواصفات التكنولوجيا IRF610
المواصفات الفنية Vishay Siliconix - IRF610 والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Vishay Siliconix - IRF610
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Vishay / Siliconix | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 4V @ 250µA | |
| فغس (ماكس) | ±20V | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-220AB | |
| سلسلة | - | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 1.5Ohm @ 2A, 10V | |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 36W (Tc) | |
| حزمة / كيس | TO-220-3 | |
| طَرد | Tube |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 140 pF @ 25 V | |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 8.2 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET الميزة | - | |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 200 V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 3.3A (Tc) | |
| رقم المنتج الأساسي | IRF610 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Vishay Siliconix IRF610.
| سمة المنتج |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | IRF610 | IRF6100 | IRF610SPBF | IRF610A |
| الصانع | Vishay Siliconix | Infineon Technologies | Vishay Siliconix | Fairchild Semiconductor |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 140 pF @ 25 V | 1230 pF @ 15 V | 140 pF @ 25 V | 210 pF @ 25 V |
| رقم المنتج الأساسي | IRF610 | - | IRF610 | - |
| FET الميزة | - | - | - | - |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 8.2 nC @ 10 V | 21 nC @ 5 V | 8.2 nC @ 10 V | 10 nC @ 10 V |
| فغس (ماكس) | ±20V | ±12V | ±20V | ±30V |
| طَرد | Tube | Tape & Reel (TR) | Tube | Bulk |
| نوع FET | N-Channel | P-Channel | N-Channel | N-Channel |
| حزمة / كيس | TO-220-3 | 4-FlipFet™ | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-220-3 |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | 2.5V, 4.5V | 10V | 10V |
| سلسلة | - | HEXFET® | - | - |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-220AB | 4-FlipFet™ | D²PAK (TO-263) | TO-220 |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 1.5Ohm @ 2A, 10V | 65mOhm @ 5.1A, 4.5V | 1.5Ohm @ 2A, 10V | 1.5Ohm @ 1.65A, 10V |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 4V @ 250µA | 1.2V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 3.3A (Tc) | 5.1A (Ta) | 3.3A (Tc) | 3.3A (Tc) |
| تصاعد نوع | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 36W (Tc) | 2.2W (Ta) | 3W (Ta), 36W (Tc) | 38W (Tc) |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 200 V | 20 V | 200 V | 200 V |
قم بتنزيل أوراق بيانات IRF610 PDF ووثائق Vishay Siliconix لـ IRF610 - Vishay Siliconix.
IRF6100Infineon TechnologiesMOSFET P-CH 20V 5.1A 4FLIPFETIRF610SPBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAKIRF60B217InfineonIRF5YZ48CMIRIRF6100 MOSIRIRF610AFairchild SemiconductorN-CHANNEL POWER MOSFETIRF5Y5305CMSCVIRIRF610PBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 200V 3.3A TO220ABIRF60DM206Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 60V 130A DIRECTFET
IRF60R217Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 60V 58A DPAKIRF610B MOSFairchild (onsemi)IRF5Y5305CMIRIRF5Y540CMIRIRF610LPBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 200V 3.3A I2PAKIRF610Harris Corporation3.3A 200V 1.500 OHM N-CHANNELIRF60SC241ARMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 60V 360A TO263-7
IRF610PBF MOSElectro-Films (EFI) / VishayIRF610S MOSIR| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.