مواصفات التكنولوجيا IRF634SPBF
المواصفات الفنية Vishay Siliconix - IRF634SPBF والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Vishay Siliconix - IRF634SPBF
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Vishay / Siliconix | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 4V @ 250µA | |
| فغس (ماكس) | ±20V | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | D²PAK (TO-263) | |
| سلسلة | - | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 450mOhm @ 5.1A, 10V | |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 3.1W (Ta), 74W (Tc) | |
| حزمة / كيس | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| طَرد | Tube |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Surface Mount | |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 770 pF @ 25 V | |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 41 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET الميزة | - | |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 250 V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 8.1A (Tc) | |
| رقم المنتج الأساسي | IRF634 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Vishay Siliconix IRF634SPBF.
| سمة المنتج |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | IRF634SPBF | IRF640 | IRF634NPBF | IRF634STRRPBF |
| الصانع | Vishay Siliconix | STMicroelectronics | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 3.1W (Ta), 74W (Tc) | 125W (Tc) | 3.8W (Ta), 88W (Tc) | 3.1W (Ta), 74W (Tc) |
| رقم المنتج الأساسي | IRF634 | IRF6 | IRF634 | IRF634 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 250 V | 200 V | 250 V | 250 V |
| FET الميزة | - | - | - | - |
| طَرد | Tube | Tube | Tube | Tape & Reel (TR) |
| سلسلة | - | MESH OVERLAY™ | - | - |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| حزمة / كيس | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 41 nC @ 10 V | 72 nC @ 10 V | 34 nC @ 10 V | 41 nC @ 10 V |
| تجار الأجهزة حزمة | D²PAK (TO-263) | TO-220 | TO-220AB | D²PAK (TO-263) |
| تصاعد نوع | Surface Mount | Through Hole | Through Hole | Surface Mount |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 770 pF @ 25 V | 1560 pF @ 25 V | 620 pF @ 25 V | 770 pF @ 25 V |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 8.1A (Tc) | 18A (Tc) | 8A (Tc) | 8.1A (Tc) |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| فغس (ماكس) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 450mOhm @ 5.1A, 10V | 180mOhm @ 9A, 10V | 435mOhm @ 4.8A, 10V | 450mOhm @ 5.1A, 10V |
IRF640AFairchild (onsemi)
IRF634FPSTMicroelectronicsIRF634PBF MOSIRIRF640STMicroelectronicsMOSFET N-CH 200V 18A TO220ABIRF634AFairchild (onsemi)IRF635HARRISIRF640 MOSIRIRF634S MOSIRIRF634BFairchild (onsemi)IRF634NPBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 250V 8A TO220ABIRF634STRRPBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 250V 8.1A D2PAKIRF640BFairchild (onsemi)IRF637IRIRF634PBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 250V 8.1A TO220ABIRF634 MOSIRIRF634NSPBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 250V 8A D2PAKIRF6351IRIRF6372TRPBFVBSEMI| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.