مواصفات التكنولوجيا IRFD9113
المواصفات الفنية Vishay Siliconix - IRFD9113 والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Vishay Siliconix - IRFD9113
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Vishay / Siliconix | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | - | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | 4-HVMDIP | |
| سلسلة | - | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 1.6Ohm @ 300mA, 10V | |
| تبديد الطاقة (ماكس) | - | |
| حزمة / كيس | 4-DIP (0.300", 7.62mm) | |
| طَرد | Tube |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| درجة حرارة التشغيل | - | |
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 250 pF @ 25 V | |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 15 nC @ 15 V | |
| نوع FET | P-Channel | |
| FET الميزة | - | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 60 V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 600mA (Ta) | |
| رقم المنتج الأساسي | IRFD9113 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Vishay Siliconix IRFD9113.
| سمة المنتج |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | IRFD9113 | IRFD9020 | IRFD9123 | IRFD9014 |
| الصانع | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
| حزمة / كيس | 4-DIP (0.300", 7.62mm) | 4-DIP (0.300", 7.62mm) | 4-DIP (0.300", 7.62mm) | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
| سلسلة | - | - | - | - |
| تجار الأجهزة حزمة | 4-HVMDIP | 4-HVMDIP | 4-HVMDIP | 4-HVMDIP |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 250 pF @ 25 V | 570 pF @ 25 V | 390 pF @ 25 V | 270 pF @ 25 V |
| درجة حرارة التشغيل | - | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 600mA (Ta) | 1.6A (Ta) | 1A (Ta) | 1.1A (Ta) |
| طَرد | Tube | Tube | Tube | Tube |
| نوع FET | P-Channel | P-Channel | P-Channel | P-Channel |
| رقم المنتج الأساسي | IRFD9113 | IRFD9020 | IRFD9123 | IRFD9014 |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 15 nC @ 15 V | 19 nC @ 10 V | 18 nC @ 10 V | 12 nC @ 10 V |
| FET الميزة | - | - | - | - |
| تصاعد نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| تبديد الطاقة (ماكس) | - | 1.3W (Ta) | - | 1.3W (Ta) |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | - | 4V @ 1µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 1.6Ohm @ 300mA, 10V | 280mOhm @ 960mA, 10V | 600mOhm @ 600mA, 10V | 500mOhm @ 660mA, 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 60 V | 60 V | 100 V | 60 V |
قم بتنزيل أوراق بيانات IRFD9113 PDF ووثائق Vishay Siliconix لـ IRFD9113 - Vishay Siliconix.
IRFD9020Vishay SiliconixMOSFET P-CH 60V 1.6A 4DIPIRFD9123Vishay SiliconixMOSFET P-CH 100V 1A 4DIPIRFD9014Vishay SiliconixMOSFET P-CH 60V 1.1A 4DIP
IRFD9123Harris CorporationMOSFET P-CH 100V 1A 4DIPIRFD9110Vishay SiliconixMOSFET P-CH 100V 700MA 4DIPIRFD9120Harris CorporationMOSFET P-CH 100V 1A 4DIPIRFD9120PBFVishay SiliconixMOSFET P-CH 100V 1A 4DIPIRFD9110Harris Corporation0.7A 100V 1.200 OHM P-CHANNEL
IRFD9120PBF MOSElectro-Films (EFI) / VishayIRFD9120Vishay SiliconixMOSFET P-CH 100V 1A 4DIPIRFD9024PBFVishay SiliconixMOSFET P-CH 60V 1.6A 4DIPIRFD9120PBF-NDIRPB-FREEIRFD9113Harris Corporation-0.6A, -80V, 1.6 OHM, P-CHANNELIRFD9120 MOSHARRIS/MOTIRFD9014PBFVishay SiliconixMOSFET P-CH 60V 1.1A 4DIPIRFD9110PBFVishay SiliconixMOSFET P-CH 100V 700MA 4DIPIRFD9024Vishay SiliconixMOSFET P-CH 60V 1.6A 4DIPIRFD9020PBFVishay SiliconixMOSFET P-CH 60V 1.6A 4DIP| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.