مواصفات التكنولوجيا IRFIBC40GPBF
المواصفات الفنية Vishay Siliconix - IRFIBC40GPBF والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Vishay Siliconix - IRFIBC40GPBF
سمة المنتج | قيمة السمة | |
---|---|---|
الصانع | Vishay / Siliconix | |
VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 4V @ 250µA | |
فغس (ماكس) | ±20V | |
تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
تجار الأجهزة حزمة | TO-220-3 | |
سلسلة | - | |
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 1.2Ohm @ 2.1A, 10V | |
تبديد الطاقة (ماكس) | 40W (Tc) | |
حزمة / كيس | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab | |
طَرد | Tube |
سمة المنتج | قيمة السمة | |
---|---|---|
درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
تصاعد نوع | Through Hole | |
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 1300 pF @ 25 V | |
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 60 nC @ 10 V | |
نوع FET | N-Channel | |
FET الميزة | - | |
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | |
استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 600 V | |
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 3.5A (Tc) | |
رقم المنتج الأساسي | IRFIBC40 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Vishay Siliconix IRFIBC40GPBF.
سمة المنتج | ||||
---|---|---|---|---|
رقم القطعة | IRFIBC40GPBF | IRFIBC40G | IRFIBC40GLC | IRFIBE30G |
الصانع | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | 10V | 10V | 10V |
تجار الأجهزة حزمة | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 1300 pF @ 25 V | 1300 pF @ 25 V | 1100 pF @ 25 V | 1300 pF @ 25 V |
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 3.5A (Tc) | 3.5A (Tc) | 3.5A (Tc) | 2.1A (Tc) |
طَرد | Tube | Tube | Tube | Tube |
حزمة / كيس | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 600 V | 600 V | 600 V | 800 V |
تبديد الطاقة (ماكس) | 40W (Tc) | 40W (Tc) | 40W (Tc) | 35W (Tc) |
FET الميزة | - | - | - | - |
رقم المنتج الأساسي | IRFIBC40 | IRFIBC40 | IRFIBC40 | IRFIBE30 |
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 60 nC @ 10 V | 60 nC @ 10 V | 39 nC @ 10 V | 78 nC @ 10 V |
تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 1.2Ohm @ 2.1A, 10V | 1.2Ohm @ 2.1A, 10V | 1.2Ohm @ 2.1A, 10V | 3Ohm @ 1.3A, 10V |
تصاعد نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
سلسلة | - | - | - | - |
فغس (ماكس) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
قم بتنزيل أوراق بيانات IRFIBC40GPBF PDF ووثائق Vishay Siliconix لـ IRFIBC40GPBF - Vishay Siliconix.
البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
---|---|---|
منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
البرازيل | 7 | |
أوروبا | ألمانيا | 5 |
المملكة المتحدة | 4 | |
إيطاليا | 5 | |
أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
نيوزيلندا | 5 | |
آسيا | الهند | 4 |
اليابان | 4 | |
الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
مرجع شحن DHL & FedEx | |
---|---|
رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.