مواصفات التكنولوجيا IRL530PBF
المواصفات الفنية Vishay Siliconix - IRL530PBF والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Vishay Siliconix - IRL530PBF
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Vishay / Siliconix | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 2V @ 250µA | |
| فغس (ماكس) | ±10V | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-220AB | |
| سلسلة | - | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 160mOhm @ 9A, 5V | |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 88W (Tc) | |
| حزمة / كيس | TO-220-3 | |
| طَرد | Tube |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 930 pF @ 25 V | |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 28 nC @ 5 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET الميزة | - | |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 4V, 5V | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 100 V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 15A (Tc) | |
| رقم المنتج الأساسي | IRL530 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Vishay Siliconix IRL530PBF.
| سمة المنتج |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | IRL530PBF | IRL530NSPBF | IRL540 | IRL540A |
| الصانع | Vishay Siliconix | International Rectifier | Vishay Siliconix | Fairchild Semiconductor |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 4V, 5V | 4V, 10V | 4V, 5V | 5V |
| تصاعد نوع | Through Hole | Surface Mount | Through Hole | Through Hole |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 160mOhm @ 9A, 5V | 100mOhm @ 9A, 10V | 77mOhm @ 17A, 5V | 58mOhm @ 14A, 5V |
| فغس (ماكس) | ±10V | ±20V | ±10V | ±20V |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-220AB | D2PAK | TO-220AB | TO-220-3 |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 930 pF @ 25 V | 800 pF @ 25 V | 2200 pF @ 25 V | 1580 pF @ 25 V |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 15A (Tc) | 17A (Tc) | 28A (Tc) | 28A (Tc) |
| طَرد | Tube | Bulk | Tube | Tube |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| سلسلة | - | HEXFET® | - | - |
| رقم المنتج الأساسي | IRL530 | - | IRL540 | - |
| FET الميزة | - | - | - | - |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 88W (Tc) | 3.8W (Ta), 79W (Tc) | 150W (Tc) | 121W (Tc) |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 2V @ 250µA | 2V @ 250µA | 2V @ 250µA | 2V @ 250µA |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 28 nC @ 5 V | 34 nC @ 5 V | 64 nC @ 5 V | 54 nC @ 5 V |
| حزمة / كيس | TO-220-3 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-220-3 | TO-220-3 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 100 V | 100 V | 100 V | 100 V |
قم بتنزيل أوراق بيانات IRL530PBF PDF ووثائق Vishay Siliconix لـ IRL530PBF - Vishay Siliconix.
IRL530NSPBFInternational RectifierHEXFET POWER MOSFETIRL530NSPBFTTRIRIRL530NPBF MOSIRIRL540Vishay SiliconixMOSFET N-CH 100V 28A TO220ABIRL530NSTRPBFIRIRL530NSTRRPBFInfineonIRL540AFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 100V 28A TO220-3IRL530STRRPBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 100V 15A D2PAKIRL531SECIRL530SVishay SiliconixMOSFET N-CH 100V 15A D2PAKIRL530NS MOSIR
IRL540AonsemiMOSFET N-CH 100V 28A TO220-3IRL540NIR
IRL530NSTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 17A D2PAKIRL530NSIRIRL530NSTRLInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 17A D2PAKIRL530STRPBFIRIRL530STRLPBFIR| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.