مواصفات التكنولوجيا SI4936CDY-T1-E3
المواصفات الفنية Vishay Siliconix - SI4936CDY-T1-E3 والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Vishay Siliconix - SI4936CDY-T1-E3
سمة المنتج | قيمة السمة | |
---|---|---|
الصانع | Vishay / Siliconix | |
VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 3V @ 250µA | |
تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
تجار الأجهزة حزمة | 8-SOIC | |
سلسلة | TrenchFET® | |
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 40mOhm @ 5A, 10V | |
السلطة - ماكس | 2.3W | |
حزمة / كيس | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
طَرد | Tape & Reel (TR) |
سمة المنتج | قيمة السمة | |
---|---|---|
درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
تصاعد نوع | Surface Mount | |
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 325pF @ 15V | |
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 9nC @ 10V | |
FET الميزة | Logic Level Gate | |
استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 30V | |
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 5.8A | |
ترتيب | 2 N-Channel (Dual) | |
رقم المنتج الأساسي | SI4936 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Vishay Siliconix SI4936CDY-T1-E3.
سمة المنتج | ||||
---|---|---|---|---|
رقم القطعة | SI4936CDY-T1-E3 | SI4936ADY-T1-E3 | SI4936BDY-T1-E3 | SI4936CDY-T1-GE3 |
الصانع | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
السلطة - ماكس | 2.3W | 1.1W | 2.8W | 2.3W |
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 325pF @ 15V | - | 530pF @ 15V | 325pF @ 15V |
سلسلة | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® |
VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA |
درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
FET الميزة | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
حزمة / كيس | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
رقم المنتج الأساسي | SI4936 | SI4936 | SI4936 | SI4936 |
تجار الأجهزة حزمة | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-SOIC |
تصاعد نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 9nC @ 10V | 20nC @ 10V | 15nC @ 10V | 9nC @ 10V |
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 40mOhm @ 5A, 10V | 36mOhm @ 5.9A, 10V | 35mOhm @ 5.9A, 10V | 40mOhm @ 5A, 10V |
تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 5.8A | 4.4A | 6.9A | 5.8A |
طَرد | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 30V | 30V | 30V | 30V |
ترتيب | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) |
قم بتنزيل أوراق بيانات SI4936CDY-T1-E3 PDF ووثائق Vishay Siliconix لـ SI4936CDY-T1-E3 - Vishay Siliconix.
البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
---|---|---|
منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
البرازيل | 7 | |
أوروبا | ألمانيا | 5 |
المملكة المتحدة | 4 | |
إيطاليا | 5 | |
أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
نيوزيلندا | 5 | |
آسيا | الهند | 4 |
اليابان | 4 | |
الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
مرجع شحن DHL & FedEx | |
---|---|
رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.