مواصفات التكنولوجيا SI5415EDU-T1-GE3
المواصفات الفنية Vishay Siliconix - SI5415EDU-T1-GE3 والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Vishay Siliconix - SI5415EDU-T1-GE3
سمة المنتج | قيمة السمة | |
---|---|---|
الصانع | Vishay / Siliconix | |
VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 1V @ 250µA | |
فغس (ماكس) | ±8V | |
تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
تجار الأجهزة حزمة | PowerPAK® ChipFet Single | |
سلسلة | TrenchFET® | |
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 9.8mOhm @ 10A, 4.5V | |
تبديد الطاقة (ماكس) | 3.1W (Ta), 31W (Tc) | |
حزمة / كيس | PowerPAK® ChipFET™ Single | |
طَرد | Tape & Reel (TR) |
سمة المنتج | قيمة السمة | |
---|---|---|
درجة حرارة التشغيل | -50°C ~ 150°C (TJ) | |
تصاعد نوع | Surface Mount | |
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 4300 pF @ 10 V | |
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 120 nC @ 8 V | |
نوع FET | P-Channel | |
FET الميزة | - | |
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 1.8V, 4.5V | |
استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 20 V | |
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 25A (Tc) | |
رقم المنتج الأساسي | SI5415 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Vishay Siliconix SI5415EDU-T1-GE3.
سمة المنتج | ||||
---|---|---|---|---|
رقم القطعة | SI5415EDU-T1-GE3 | SI5406DC-T1-E3 | SI5415AEDU-T1-GE3 | SI5429DU-T1-GE3 |
الصانع | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Electro-Films (EFI) / Vishay |
استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 20 V | 12 V | 20 V | 30V |
VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 1V @ 250µA | 600mV @ 1.2mA (Min) | 1V @ 250µA | 2.2V @ 250µA |
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 25A (Tc) | 6.9A (Ta) | 25A (Tc) | 12A (Tc) |
فغس (ماكس) | ±8V | ±8V | ±8V | ±20V |
سلسلة | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® |
تصاعد نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
FET الميزة | - | - | - | - |
نوع FET | P-Channel | N-Channel | P-Channel | P-Channel |
تبديد الطاقة (ماكس) | 3.1W (Ta), 31W (Tc) | 1.3W (Ta) | 3.1W (Ta), 31W (Tc) | 3.1W (Ta), 31W (Tc) |
تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
طَرد | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | - |
درجة حرارة التشغيل | -50°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -50°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 1.8V, 4.5V | 2.5V, 4.5V | 1.8V, 4.5V | 4.5V, 10V |
حزمة / كيس | PowerPAK® ChipFET™ Single | 8-SMD, Flat Lead | PowerPAK® ChipFET™ Single | PowerPAK® ChipFET™ Dual |
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 120 nC @ 8 V | 20 nC @ 4.5 V | 120 nC @ 8 V | 63nC @ 10V |
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 9.8mOhm @ 10A, 4.5V | 20mOhm @ 6.9A, 4.5V | 9.6mOhm @ 10A, 4.5V | 15 mOhm @ 7A, 10V |
رقم المنتج الأساسي | SI5415 | SI5406 | SI5415 | - |
تجار الأجهزة حزمة | PowerPAK® ChipFet Single | 1206-8 ChipFET™ | PowerPAK® ChipFet Single | PowerPAK® ChipFet Dual |
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 4300 pF @ 10 V | - | 4300 pF @ 10 V | 2320pF @ 15V |
قم بتنزيل أوراق بيانات SI5415EDU-T1-GE3 PDF ووثائق Vishay Siliconix لـ SI5415EDU-T1-GE3 - Vishay Siliconix.
البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
---|---|---|
منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
البرازيل | 7 | |
أوروبا | ألمانيا | 5 |
المملكة المتحدة | 4 | |
إيطاليا | 5 | |
أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
نيوزيلندا | 5 | |
آسيا | الهند | 4 |
اليابان | 4 | |
الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
مرجع شحن DHL & FedEx | |
---|---|
رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.