Name: Vishay Siliconix SI8901EDB-T2-E1
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI8901EDB-T2-E1

شحنة

موعد التسليم

يمكن شحن العناصر داخل المخزون خلال 24 ساعة.سيتم ترتيب بعض الأجزاء للتسليم في غضون 1-2 أيام من تاريخ وصول جميع العناصر إلى مستودعنا.و Allelco سفن الطلب مرة واحدة في اليوم في حوالي الساعة 17:00 ، باستثناء الأحد.بمجرد شحن البضائع ، يعتمد وقت التسليم المقدر على طرق الشحن ووجهة التسليم.يوضح الجدول أدناه الوقت اللوجستي لبعض البلدان المشتركة.

تكلفة التسليم

استخدم حسابك السريع للشحن إذا كان لديك حساب.
استخدم حسابنا للشحن.ارجع إلى الجدول أدناه للحصول على الرسوم التقريبية.

(إطار زمني مختلف / البلدان / حجم الحزمة له سعر مختلف.)

طريقة التسليم

الشحنة الشائعة العالمية بواسطة DHL / UPS / FedEx / TNT / EMS / SF ندعمها.
آخرون طرق شحن أخرى ، يرجى الاتصال بمدير العميل الخاص بك.

البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية
منطقة	دولة	الوقت اللوجستي (اليوم)
أمريكا	الولايات المتحدة	5
أمريكا	البرازيل	7
أوروبا	ألمانيا	5
	المملكة المتحدة	4
	إيطاليا	5
أوقيانوسيا	أستراليا	6
أوقيانوسيا	نيوزيلندا	5
آسيا	الهند	4
آسيا	اليابان	4
الشرق الأوسط	إسرائيل	6

مرجع شحن DHL & FedEx
رسوم الشحن (كغ)	مرجع DHL (دولار أمريكي)
0.00kg-1.00kg	30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي
1.00kg-2.00kg	40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي
2.00 كجم-3.00 كجم	50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي

ملحوظة:: الجدول أعلاه هو للرجوع فقط.قد يكون هناك بعض تحيز البيانات للعوامل التي لا يمكن السيطرة عليها.
اتصل بنا إذا كان لديك أي أسئلة.

سمة المنتج	قيمة السمة
الصانع	Vishay / Siliconix
VGS (ال) (ماكس) @ إيد	1V @ 350µA
تكنولوجيا	MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة	6-Micro Foot™ (2.36x1.56)
سلسلة	TrenchFET®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS	-
السلطة - ماكس	1W
حزمة / كيس	6-MICRO FOOT®CSP
طَرد	Tape & Reel (TR)

سمة المنتج	قيمة السمة
درجة حرارة التشغيل	-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع	Surface Mount
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس	-
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس	-
FET الميزة	Logic Level Gate
استنزاف لجهد المصدر (Vdss)	20V
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C	3.5A
ترتيب	2 P-Channel (Dual) Common Drain
رقم المنتج الأساسي	SI8901

سمة المنتج
رقم القطعة	SI8901EDB-T2-E1	SI8902EDB-T2-E1	SI8900EDB-T2-E1	SI8902B-A01-GS
الصانع	Vishay Siliconix	Vishay Siliconix	Vishay Siliconix	Skyworks Solutions Inc.
السلطة - ماكس	1W	1W	1W	-
ترتيب	2 P-Channel (Dual) Common Drain	2 N-Channel (Dual) Common Drain	2 N-Channel (Dual) Common Drain	MUX-PGA-ADC
استنزاف لجهد المصدر (Vdss)	20V	20V	20V	-
تكنولوجيا	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	-
سلسلة	TrenchFET®	TrenchFET®	TrenchFET®	-
درجة حرارة التشغيل	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-40°C ~ 85°C
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS	-	-	-	-
تجار الأجهزة حزمة	6-Micro Foot™ (2.36x1.56)	6-Micro Foot™ (2.36x1.56)	10-Micro Foot™ CSP (2x5)	16-SOIC
طَرد	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tube
رقم المنتج الأساسي	SI8901	SI8902	SI8900	SI8902
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس	-	-	-	-
VGS (ال) (ماكس) @ إيد	1V @ 350µA	1V @ 980µA	1V @ 1.1mA	-
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس	-	-	-	-
FET الميزة	Logic Level Gate	Logic Level Gate	Logic Level Gate	-
حزمة / كيس	6-MICRO FOOT®CSP	6-MICRO FOOT®CSP	10-UFBGA, CSPBGA	16-SOIC (0.295', 7.50mm Width)
تصاعد نوع	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C	3.5A	3.9A	5.4A	-

يرجى الرجوع إلى النسخة الإنجليزية كنسخة رسمية لدينا.

SI8901EDB-T2-E1 - Vishay Siliconix

مواصفات

أجزاء مع مواصفات مماثلة

SI8901EDB-T2-E1 ورقة البيانات PDF

العملاء المهتمين أيضا في

المنتجات الموصى بها

شحنة

موعد التسليم

تكلفة التسليم

طريقة التسليم

دعم الدفع

شريكك في سلسلة التوريد المؤمن -

تواصل معنا إذا كان عندك أي أسئلة.

الشهادات والعضوية

SI8901EDB-T2-E1

عربة التسوق (0 Items)

قارن القائمة (0 Items)

تعليق

يرجى الرجوع إلى النسخة الإنجليزية كنسخة رسمية لدينا.يعود

SI8901EDB-T2-E1 - Vishay Siliconix

مواصفات

أجزاء مع مواصفات مماثلة

SI8901EDB-T2-E1 ورقة البيانات PDF

العملاء المهتمين أيضا في

المنتجات الموصى بها

شحنة

موعد التسليم

تكلفة التسليم

طريقة التسليم

دعم الدفع

شريكك في سلسلة التوريد المؤمن -

تواصل معنا إذا كان عندك أي أسئلة.

الشهادات والعضوية

SI8901EDB-T2-E1

عربة التسوق (0 Items)

قارن القائمة (0 Items)

تعليق

يرجى الرجوع إلى النسخة الإنجليزية كنسخة رسمية لدينا.