مواصفات التكنولوجيا SIB452DK-T1-GE3
المواصفات الفنية Vishay Siliconix - SIB452DK-T1-GE3 والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Vishay Siliconix - SIB452DK-T1-GE3
سمة المنتج | قيمة السمة | |
---|---|---|
الصانع | Vishay / Siliconix | |
VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 1.5V @ 250µA | |
فغس (ماكس) | ±16V | |
تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
تجار الأجهزة حزمة | PowerPAK® SC-75-6 | |
سلسلة | TrenchFET® | |
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 2.4Ohm @ 500mA, 4.5V | |
تبديد الطاقة (ماكس) | 2.4W (Ta), 13W (Tc) | |
حزمة / كيس | PowerPAK® SC-75-6 | |
طَرد | Tape & Reel (TR) |
سمة المنتج | قيمة السمة | |
---|---|---|
درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
تصاعد نوع | Surface Mount | |
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 135 pF @ 50 V | |
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 6.5 nC @ 10 V | |
نوع FET | N-Channel | |
FET الميزة | - | |
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 1.8V, 4.5V | |
استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 190 V | |
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 1.5A (Tc) | |
رقم المنتج الأساسي | SIB452 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Vishay Siliconix SIB452DK-T1-GE3.
سمة المنتج | ||||
---|---|---|---|---|
رقم القطعة | SIB452DK-T1-GE3 | SIB800EDK-T1-GE3 | SIB488DK-T1-GE3 | SIB417AEDK-T1-GE3 |
الصانع | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | P-Channel |
فغس (ماكس) | ±16V | ±6V | ±8V | ±5V |
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 1.5A (Tc) | 1.5A (Tc) | 9A (Tc) | 9A (Tc) |
تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
تصاعد نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
حزمة / كيس | PowerPAK® SC-75-6 | PowerPAK® SC-75-6 | PowerPAK® SC-75-6 | PowerPAK® SC-75-6 |
طَرد | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 2.4Ohm @ 500mA, 4.5V | 225mOhm @ 1.6A, 4.5V | 20mOhm @ 6.3A, 4.5V | 32mOhm @ 3A, 4.5V |
سلسلة | TrenchFET® | LITTLE FOOT® | TrenchFET® | TrenchFET® |
رقم المنتج الأساسي | SIB452 | SIB800 | SIB488 | SIB417 |
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 6.5 nC @ 10 V | 1.7 nC @ 4.5 V | 20 nC @ 8 V | 18.5 nC @ 5 V |
تبديد الطاقة (ماكس) | 2.4W (Ta), 13W (Tc) | 1.1W (Ta), 3.1W (Tc) | 2.4W (Ta), 13W (Tc) | 2.4W (Ta), 13W (Tc) |
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 135 pF @ 50 V | - | 725 pF @ 6 V | 878 pF @ 4 V |
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 1.8V, 4.5V | 1.5V, 4.5V | 1.8V, 4.5V | 1.2V, 4.5V |
VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 1.5V @ 250µA | 1V @ 250µA | 1V @ 250µA | 1V @ 250µA |
درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 190 V | 20 V | 12 V | 8 V |
FET الميزة | - | Schottky Diode (Isolated) | - | - |
تجار الأجهزة حزمة | PowerPAK® SC-75-6 | PowerPAK® SC-75-6 | PowerPAK® SC-75-6 | PowerPAK® SC-75-6 |
قم بتنزيل أوراق بيانات SIB452DK-T1-GE3 PDF ووثائق Vishay Siliconix لـ SIB452DK-T1-GE3 - Vishay Siliconix.
البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
---|---|---|
منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
البرازيل | 7 | |
أوروبا | ألمانيا | 5 |
المملكة المتحدة | 4 | |
إيطاليا | 5 | |
أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
نيوزيلندا | 5 | |
آسيا | الهند | 4 |
اليابان | 4 | |
الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
مرجع شحن DHL & FedEx | |
---|---|
رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.