مواصفات التكنولوجيا SISA72DN-T1-GE3
المواصفات الفنية Vishay Siliconix - SISA72DN-T1-GE3 والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Vishay Siliconix - SISA72DN-T1-GE3
سمة المنتج | قيمة السمة | |
---|---|---|
الصانع | Vishay / Siliconix | |
VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 2.4V @ 250µA | |
فغس (ماكس) | +20V, -16V | |
تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
تجار الأجهزة حزمة | PowerPAK® 1212-8 | |
سلسلة | TrenchFET® Gen IV | |
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 3.5mOhm @ 10A, 10V | |
تبديد الطاقة (ماكس) | 52W (Tc) | |
حزمة / كيس | PowerPAK® 1212-8 | |
طَرد | Tape & Reel (TR) |
سمة المنتج | قيمة السمة | |
---|---|---|
درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
تصاعد نوع | Surface Mount | |
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 3240 pF @ 20 V | |
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 30 nC @ 4.5 V | |
نوع FET | N-Channel | |
FET الميزة | - | |
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 4.5V, 10V | |
استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 40 V | |
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 60A (Tc) | |
رقم المنتج الأساسي | SISA72 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Vishay Siliconix SISA72DN-T1-GE3.
سمة المنتج | ||||
---|---|---|---|---|
رقم القطعة | SISA72DN-T1-GE3 | SISH410DN-T1-GE3 | SISA24DN-T1-GE3 | SISA66DN-T1-GE3 |
الصانع | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
تبديد الطاقة (ماكس) | 52W (Tc) | 3.8W (Ta), 52W (Tc) | 52W (Tc) | 52W (Tc) |
تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 40 V | 20 V | 25 V | 30 V |
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 3.5mOhm @ 10A, 10V | 4.8mOhm @ 20A, 10V | 1.4mOhm @ 15A, 10V | 2.3mOhm @ 15A, 10V |
تجار الأجهزة حزمة | PowerPAK® 1212-8 | PowerPAK® 1212-8SH | PowerPAK® 1212-8 | PowerPAK® 1212-8 |
فغس (ماكس) | +20V, -16V | ±20V | +20V, -16V | +20V, -16V |
تصاعد نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
حزمة / كيس | PowerPAK® 1212-8 | PowerPAK® 1212-8SH | PowerPAK® 1212-8 | PowerPAK® 1212-8 |
نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 30 nC @ 4.5 V | 41 nC @ 10 V | 26 nC @ 4.5 V | 66 nC @ 10 V |
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
سلسلة | TrenchFET® Gen IV | TrenchFET® | TrenchFET® Gen IV | TrenchFET® Gen IV |
VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 2.4V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 2.1V @ 250µA | 2.2V @ 1mA |
درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
FET الميزة | - | - | - | - |
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 3240 pF @ 20 V | 1600 pF @ 10 V | 2650 pF @ 10 V | 3014 pF @ 15 V |
طَرد | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 60A (Tc) | 22A (Ta), 35A (Tc) | 60A (Tc) | 40A (Tc) |
رقم المنتج الأساسي | SISA72 | SISH410 | SISA24 | SISA66 |
قم بتنزيل أوراق بيانات SISA72DN-T1-GE3 PDF ووثائق Vishay Siliconix لـ SISA72DN-T1-GE3 - Vishay Siliconix.
البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
---|---|---|
منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
البرازيل | 7 | |
أوروبا | ألمانيا | 5 |
المملكة المتحدة | 4 | |
إيطاليا | 5 | |
أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
نيوزيلندا | 5 | |
آسيا | الهند | 4 |
اليابان | 4 | |
الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
مرجع شحن DHL & FedEx | |
---|---|
رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.