مواصفات التكنولوجيا SQM120N02-1M3L_GE3
المواصفات الفنية Vishay Siliconix - SQM120N02-1M3L_GE3 والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Vishay Siliconix - SQM120N02-1M3L_GE3
سمة المنتج | قيمة السمة | |
---|---|---|
الصانع | Vishay / Siliconix | |
VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 2.5V @ 250µA | |
فغس (ماكس) | ±20V | |
تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
تجار الأجهزة حزمة | TO-263 (D²Pak) | |
سلسلة | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 1.3mOhm @ 40A, 10V | |
تبديد الطاقة (ماكس) | 375W (Tc) | |
حزمة / كيس | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
طَرد | Tape & Reel (TR) |
سمة المنتج | قيمة السمة | |
---|---|---|
درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
تصاعد نوع | Surface Mount | |
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 14500 pF @ 10 V | |
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 290 nC @ 10 V | |
نوع FET | N-Channel | |
FET الميزة | - | |
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 4.5V, 10V | |
استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 20 V | |
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 120A (Tc) | |
رقم المنتج الأساسي | SQM120 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Vishay Siliconix SQM120N02-1M3L_GE3.
سمة المنتج | ||||
---|---|---|---|---|
رقم القطعة | SQM120N02-1M3L_GE3 | SQM10250E_GE3 | SQM120N04-1M9_GE3 | SQM110P04-04L-GE3 |
الصانع | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
تجار الأجهزة حزمة | TO-263 (D²Pak) | TO-263 (D²Pak) | TO-263 (D²Pak) | TO-263 (D²Pak) |
VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 2.5V @ 250µA | 3.5V @ 250µA | 3.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA |
FET الميزة | - | - | - | - |
طَرد | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
تبديد الطاقة (ماكس) | 375W (Tc) | 375W (Tc) | 300W (Tc) | 375W (Tc) |
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 120A (Tc) | 65A (Tc) | 120A (Tc) | 120A (Tc) |
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 290 nC @ 10 V | 75 nC @ 10 V | 270 nC @ 10 V | 330 nC @ 10 V |
درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 1.3mOhm @ 40A, 10V | 30mOhm @ 15A, 10V | 1.9mOhm @ 30A, 10V | 4mOhm @ 30A, 10V |
نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | P-Channel |
رقم المنتج الأساسي | SQM120 | SQM10250 | SQM120 | SQM110P |
تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 4.5V, 10V | 7.5V, 10V | 10V | 4.5V, 10V |
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 14500 pF @ 10 V | 4050 pF @ 25 V | 8790 pF @ 25 V | 13980 pF @ 20 V |
فغس (ماكس) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
تصاعد نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
سلسلة | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® |
حزمة / كيس | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 20 V | 250 V | 40 V | 40 V |
قم بتنزيل أوراق بيانات SQM120N02-1M3L_GE3 PDF ووثائق Vishay Siliconix لـ SQM120N02-1M3L_GE3 - Vishay Siliconix.
البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
---|---|---|
منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
البرازيل | 7 | |
أوروبا | ألمانيا | 5 |
المملكة المتحدة | 4 | |
إيطاليا | 5 | |
أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
نيوزيلندا | 5 | |
آسيا | الهند | 4 |
اليابان | 4 | |
الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
مرجع شحن DHL & FedEx | |
---|---|
رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.