مواصفات التكنولوجيا NXPSC10650B6J
المواصفات الفنية WeEn Semiconductors - NXPSC10650B6J والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ WeEn Semiconductors - NXPSC10650B6J
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | WeEn Semiconductors Co., Ltd | |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1.7 V @ 10 A | |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 650 V | |
| تكنولوجيا | SiC (Silicon Carbide) Schottky | |
| تجار الأجهزة حزمة | D2PAK | |
| سرعة | No Recovery Time > 500mA (Io) | |
| سلسلة | - | |
| عكس وقت الاسترداد (TRR) | 0 ns |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| حزمة / كيس | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| طَرد | Tape & Reel (TR) | |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | 175°C (Max) | |
| تصاعد نوع | Surface Mount | |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 250 µA @ 650 V | |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 10A | |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | 300pF @ 1V, 1MHz | |
| رقم المنتج الأساسي | NXPSC |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ WeEn Semiconductors NXPSC10650B6J.
| سمة المنتج |  |
|
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | NXPSC10650B6J | NXPSC04650B6J | NXPSC04650DJ | NXPSC10650Q |
| الصانع | WeEn Semiconductors | WeEn Semiconductors | WeEn Semiconductors | WeEn Semiconductors |
| تكنولوجيا | SiC (Silicon Carbide) Schottky | SiC (Silicon Carbide) Schottky | SiC (Silicon Carbide) Schottky | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
| حزمة / كيس | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-220-2 |
| طَرد | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tube |
| تصاعد نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 10A | 4A | 4A | 10A |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 250 µA @ 650 V | 170 µA @ 650 V | 170 µA @ 650 V | 250 µA @ 650 V |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1.7 V @ 10 A | 1.7 V @ 4 A | 1.7 V @ 4 A | 1.7 V @ 10 A |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 650 V | 650 V | 650 V | 650 V |
| سرعة | No Recovery Time > 500mA (Io) | No Recovery Time > 500mA (Io) | No Recovery Time > 500mA (Io) | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | 175°C (Max) | 175°C (Max) | 175°C (Max) | 175°C (Max) |
| تجار الأجهزة حزمة | D2PAK | D2PAK | DPAK | TO-220AC |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | 300pF @ 1V, 1MHz | 130pF @ 1V, 1MHz | 130pF @ 1V, 1MHz | 300pF @ 1V, 1MHz |
| رقم المنتج الأساسي | NXPSC | NXPSC | NXPSC | NXPSC |
| سلسلة | - | - | - | - |
| عكس وقت الاسترداد (TRR) | 0 ns | 0 ns | 0 ns | 0 ns |
قم بتنزيل أوراق بيانات NXPSC10650B6J PDF ووثائق WeEn Semiconductors لـ NXPSC10650B6J - WeEn Semiconductors.
NXPSC06650BFreescale / NXP SemiconductorsNXPSC06650Freescale / NXP SemiconductorsNXPSC08650BWeEn Semiconductors Co., LtdNXPSC10650Freescale / NXP Semiconductors
NXPSC08650WEEN/NXPNXPSC12650WEEN/NXPNXPSC10650BWEEN/NXPNXPSC10650DWEEN/NXPNXPSC06650XWeEn Semiconductors Co., LtdNXPSC04650B6JWeEn SemiconductorsDIODE SIL CARBIDE 650V 4A D2PAKNXPSC04650DJWeEn SemiconductorsDIODE SIL CARBIDE 650V 4A DPAKNXPSC10650QWeEn SemiconductorsDIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC
NXPSC04650D6JWeEn SemiconductorsDIODE SIL CARBIDE 650V 4A DPAKNXPSC20650WFreescale / NXP SemiconductorsNXPSC08650DWEEN/NXPNXPSC10650XWEEN/NXPNXPSC06650DWeEn Semiconductors Co., LtdNXPSC08650QWeEn SemiconductorsDIODE SIL CARB 650V 8A TO220AC| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.