مواصفات التكنولوجيا 1N5401RL
المواصفات الفنية onsemi - 1N5401RL والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ onsemi - 1N5401RL
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | onsemi | |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1 V @ 3 A | |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 100 V | |
| تكنولوجيا | Standard | |
| تجار الأجهزة حزمة | Axial | |
| سرعة | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| سلسلة | - | |
| حزمة / كيس | DO-201AA, DO-27, Axial |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| طَرد | Tape & Reel (TR) | |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -65°C ~ 170°C | |
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 10 µA @ 100 V | |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 3A | |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | - | |
| رقم المنتج الأساسي | 1N5401 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ onsemi 1N5401RL.
| سمة المنتج |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | 1N5401RL | 1N5401G | 1N5401G | 1N5402-E3/54 |
| الصانع | onsemi | SMC Diode Solutions | onsemi | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| تجار الأجهزة حزمة | Axial | DO-201AD | Axial | DO-201AD |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 10 µA @ 100 V | 5 µA @ 100 V | 10 µA @ 100 V | 5 µA @ 200 V |
| طَرد | Tape & Reel (TR) | Tape & Box (TB) | Bulk | Tape & Reel (TR) |
| سلسلة | - | - | - | - |
| تكنولوجيا | Standard | Standard | Standard | Standard |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 100 V | 100 V | 100 V | 200 V |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | - | 30pF @ 4V, 1MHz | - | 30pF @ 4V, 1MHz |
| حزمة / كيس | DO-201AA, DO-27, Axial | DO-201AD, Axial | DO-201AA, DO-27, Axial | DO-201AD, Axial |
| سرعة | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| رقم المنتج الأساسي | 1N5401 | 1N540 | 1N5401 | 1N5402 |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1 V @ 3 A | 1.1 V @ 3 A | 1 V @ 3 A | 1.2 V @ 3 A |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -65°C ~ 170°C | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C | -50°C ~ 150°C |
| تصاعد نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 3A | 3A | 3A | 3A |
قم بتنزيل أوراق بيانات 1N5401RL PDF ووثائق onsemi لـ 1N5401RL - onsemi.
1N5401GSMC Diode SolutionsDIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD1N5401-DIPMIC1N5402 T/BPANJIT1N5401GonsemiDIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL1N5402-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD
1N5401GTaiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD1N5402Diotec SemiconductorDIODE GEN PURP 200V 3A DO201
1N5402onsemiDIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD1N5401TRAMI Semiconductor/onsemi
1N5402SMC Diode SolutionsDIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD
1N5401-TDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD1N5401-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD1N5402NTE Electronics, IncDIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD1N5401RLGonsemiDIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL1N5401GGood-Ark SemiconductorRECTIFIER, GENERAL PURPOSE, GLAS
1N5402Fairchild SemiconductorDIODE GEN PURP 1V 3A DO2011N5401Diotec SemiconductorDIODE STD DO-201 100V 3A1N5401NTE Electronics, IncDIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.