مواصفات التكنولوجيا 1N5402
المواصفات الفنية Diotec Semiconductor - 1N5402 والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Diotec Semiconductor - 1N5402
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Diotec Semiconductor | |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1.2 V @ 3 A | |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 200 V | |
| تكنولوجيا | Standard | |
| تجار الأجهزة حزمة | DO-201 | |
| سرعة | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| سلسلة | - | |
| عكس وقت الاسترداد (TRR) | 1.5 µs |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| حزمة / كيس | DO-201AA, DO-27, Axial | |
| طَرد | Tape & Reel (TR) | |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -50°C ~ 175°C | |
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 5 µA @ 200 V | |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 3A | |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | - |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Diotec Semiconductor 1N5402.
| سمة المنتج | |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | 1N5402 | 1N5402 | 1N5402-T | 1N5401G |
| الصانع | Diotec Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Diodes Incorporated | SMC Diode Solutions |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 5 µA @ 200 V | 200 nA @ 200 V | 10 µA @ 200 V | 5 µA @ 100 V |
| سلسلة | - | - | - | - |
| تكنولوجيا | Standard | Standard | Standard | Standard |
| عكس وقت الاسترداد (TRR) | 1.5 µs | 1.5 µs | - | - |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 200 V | 200 V | 200 V | 100 V |
| تصاعد نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| طَرد | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Box (TB) |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 3A | 3A | 3A | 3A |
| تجار الأجهزة حزمة | DO-201 | DO-201 | DO-201AD | DO-201AD |
| حزمة / كيس | DO-201AA, DO-27, Axial | DO-201AA, DO-27, Axial | DO-201AD, Axial | DO-201AD, Axial |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -50°C ~ 175°C | -50°C ~ 175°C | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1.2 V @ 3 A | 1.2 V @ 3 A | 1 V @ 3 A | 1.1 V @ 3 A |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | - | - | 50pF @ 4V, 1MHz | 30pF @ 4V, 1MHz |
| سرعة | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
قم بتنزيل أوراق بيانات 1N5402 PDF ووثائق Diotec Semiconductor لـ 1N5402 - Diotec Semiconductor.
1N5402Fairchild SemiconductorDIODE GEN PURP 1V 3A DO2011N5402-TDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD
1N5401TRAMI Semiconductor/onsemi1N5402 T/BPANJIT1N5401GSMC Diode SolutionsDIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD1N5401GGood-Ark SemiconductorRECTIFIER, GENERAL PURPOSE, GLAS
1N5402SMC Diode SolutionsDIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD1N5401RLonsemiDIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL1N5401-TDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD
1N5402onsemiDIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD1N5402GSMC Diode SolutionsDIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD1N5401RLGonsemiDIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL1N5402NTE Electronics, IncDIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD1N5401GonsemiDIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL
1N5401-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD
1N5402GTaiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD1N5401GTaiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD1N5402-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.