مواصفات التكنولوجيا FDP16N50
المواصفات الفنية onsemi - FDP16N50 والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ onsemi - FDP16N50
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | onsemi | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 5V @ 250µA | |
| فغس (ماكس) | ±30V | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-220-3 | |
| سلسلة | UniFET™ | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 380mOhm @ 8A, 10V | |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 200W (Tc) | |
| حزمة / كيس | TO-220-3 | |
| طَرد | Tube |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 1945 pF @ 25 V | |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 45 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET الميزة | - | |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 500 V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 16A (Tc) | |
| رقم المنتج الأساسي | FDP16 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ onsemi FDP16N50.
| سمة المنتج |  |
|
 |
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | FDP16N50 | FDP19N40 | FDP16N50 | FDP15N50 |
| الصانع | onsemi | onsemi | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 1945 pF @ 25 V | 2115 pF @ 25 V | 1945 pF @ 25 V | 1850 pF @ 25 V |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| سلسلة | UniFET™ | UniFET™ | UniFET™ | - |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 380mOhm @ 8A, 10V | 240mOhm @ 9.5A, 10V | 380mOhm @ 8A, 10V | 380mOhm @ 7.5A, 10V |
| حزمة / كيس | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 200W (Tc) | 215W (Tc) | 200W (Tc) | 300W (Tc) |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 45 nC @ 10 V | 40 nC @ 10 V | 45 nC @ 10 V | 41 nC @ 10 V |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| FET الميزة | - | - | - | - |
| طَرد | Tube | Tube | Tube | Tube |
| تصاعد نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| رقم المنتج الأساسي | FDP16 | FDP19 | - | - |
| فغس (ماكس) | ±30V | ±30V | ±30V | ±30V |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 16A (Tc) | 19A (Tc) | 16A (Tc) | 15A (Tc) |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 500 V | 400 V | 500 V | 500 V |
قم بتنزيل أوراق بيانات FDP16N50 PDF ووثائق onsemi لـ FDP16N50 - onsemi.
FDP19N40onsemiMOSFET N-CH 400V 19A TO220-3FDP15N40 MOSFairchild (onsemi)FDP19N40 MOSFairchild (onsemi)FDP16AN08A0 MOSFairchild (onsemi)FDP16N50Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 500V 16A TO220-3FDP15N50Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 500V 15A TO220-3FDP16AN08AOFairchild (onsemi)FDP16N50UFairchild (onsemi)FDP15N50onsemiMOSFET N-CH 500V 15A TO220-3FDP20AN06A0onsemiMOSFET N-CH 60V 9A/45A TO220-3
FDP18N50 MOSAMI Semiconductor/onsemiFDP15N65onsemiMOSFET N-CH 650V 15A TO220-3FDP15N65Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 650V 15A TO220-3FDP16AN08A0onsemiMOSFET N-CH 75V 9A/58A TO220-3FDP18N20FonsemiMOSFET N-CH 200V 18A TO220-3FDP18N20FFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1FDP18N50onsemiMOSFET N-CH 500V 18A TO220-3FDP16AN08A0Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 75V 9A/58A TO220-3| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.