مواصفات التكنولوجيا FDP18N20F
المواصفات الفنية Fairchild Semiconductor - FDP18N20F والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Fairchild Semiconductor - FDP18N20F
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Fairchild (onsemi) | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 5V @ 250µA | |
| فغس (ماكس) | ±30V | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-220-3 | |
| سلسلة | UniFET™ | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 145mOhm @ 9A, 10V | |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 100W (Tc) | |
| حزمة / كيس | TO-220-3 | |
| طَرد | Bulk |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 1180 pF @ 25 V | |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 26 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET الميزة | - | |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 200 V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 18A (Tc) |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Fairchild Semiconductor FDP18N20F.
| سمة المنتج |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | FDP18N20F | FDP18N50 | FDP16N50 | FDP15N65 |
| الصانع | Fairchild Semiconductor | onsemi | onsemi | Fairchild Semiconductor |
| فغس (ماكس) | ±30V | ±30V | ±30V | ±30V |
| حزمة / كيس | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 26 nC @ 10 V | 60 nC @ 10 V | 45 nC @ 10 V | 63 nC @ 10 V |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA |
| FET الميزة | - | - | - | - |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 200 V | 500 V | 500 V | 650 V |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| طَرد | Bulk | Tube | Tube | Tube |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 18A (Tc) | 18A (Tc) | 16A (Tc) | 15A (Tc) |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 100W (Tc) | 235W (Tc) | 200W (Tc) | 250W (Tc) |
| تصاعد نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 145mOhm @ 9A, 10V | 265mOhm @ 9A, 10V | 380mOhm @ 8A, 10V | 440mOhm @ 7.5A, 10V |
| سلسلة | UniFET™ | UniFET™ | UniFET™ | UniFET™ |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 1180 pF @ 25 V | 2860 pF @ 25 V | 1945 pF @ 25 V | 3095 pF @ 25 V |
FDP18N50onsemiMOSFET N-CH 500V 18A TO220-3
FDP18N50 MOSAMI Semiconductor/onsemiFDP16AN08AOFairchild (onsemi)FDP16N50onsemiMOSFET N-CH 500V 16A TO220-3FDP15N65Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 650V 15A TO220-3FDP16AN08A0onsemiMOSFET N-CH 75V 9A/58A TO220-3FDP19N40 MOSFairchild (onsemi)FDP16N50Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 500V 16A TO220-3FDP18N20FonsemiMOSFET N-CH 200V 18A TO220-3FDP20AN06A0onsemiMOSFET N-CH 60V 9A/45A TO220-3FDP16AN08A0Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 75V 9A/58A TO220-3FDP20AN06AOFairchild (onsemi)FDP20AN06A0Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 60V 9A/45A TO220-3FDP19N40onsemiMOSFET N-CH 400V 19A TO220-3FDP16AN08A0 MOSFairchild (onsemi)FDP20N50onsemiMOSFET N-CH 500V 20A TO220-3FDP20N40Fairchild (onsemi)FDP16N50UFairchild (onsemi)| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.