مواصفات التكنولوجيا FES16JTR
المواصفات الفنية onsemi - FES16JTR والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ onsemi - FES16JTR
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | onsemi | |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1.5 V @ 8 A | |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 600 V | |
| تكنولوجيا | Standard | |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-220-2 | |
| سرعة | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| سلسلة | - | |
| عكس وقت الاسترداد (TRR) | 50 ns |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| حزمة / كيس | TO-220-2 | |
| طَرد | Tube | |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -65°C ~ 150°C | |
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 10 µA @ 600 V | |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 16A | |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | 145pF @ 4V, 1MHz | |
| رقم المنتج الأساسي | FES16 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ onsemi FES16JTR.
| سمة المنتج |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | FES16JTR | FES2DE-7 | FES16FT-E3/45 | FES16JT-E3/45 |
| الصانع | onsemi | Diodes Incorporated | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| رقم المنتج الأساسي | FES16 | - | FES16 | FES16 |
| تكنولوجيا | Standard | Standard | Standard | Standard |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 600 V | 200 V | 300 V | 600 V |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -65°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-220-2 | F1A (DO219AA) | TO-220AC | TO-220AC |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 16A | 2A | 16A | 16A |
| تصاعد نوع | Through Hole | Surface Mount | Through Hole | Through Hole |
| طَرد | Tube | Tape & Reel (TR) | Tube | Tube |
| حزمة / كيس | TO-220-2 | DO-219AA | TO-220-2 | TO-220-2 |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 10 µA @ 600 V | 5 µA @ 200 V | 10 µA @ 300 V | 10 µA @ 600 V |
| سلسلة | - | - | - | - |
| عكس وقت الاسترداد (TRR) | 50 ns | 25 ns | 50 ns | 50 ns |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | 145pF @ 4V, 1MHz | 32pF @ 4V, 1MHz | - | - |
| سرعة | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1.5 V @ 8 A | 920 mV @ 2 A | 1.3 V @ 16 A | 1.5 V @ 16 A |
قم بتنزيل أوراق بيانات FES16JTR PDF ووثائق onsemi لـ FES16JTR - onsemi.
FES2DE-7Diodes IncorporatedDIODE GEN PURP 200V 2A F1A T&RFES1JB TRTBFAGORFES16FT-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 300V 16A TO220ACFES16JT-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 600V 16A TO220AC
FES16JTonsemiDIODE GEN PURP 600V 16A TO220-2FES1DSRTG HE3FAGORFES2DBFAGOR
FES16JT-E/45Electro-Films (EFI) / VishayFES1D TRTBFAGOR
FES1JDLITEONFES1M TRTBFAGORFES16GTonsemiDIODE GEN PURP 400V 16A TO220-2
FES16HTFairchild SemiconductorDIODE GEN PURP 500V 16A TO220-2FES2DTRTBFAGORELECTRONICAFES16JTFairchild SemiconductorRECTIFIER DIODEFES16HTonsemiDIODE GEN PURP 500V 16A TO220-2FES16GT-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 400V 16A TO220ACFES1JALITEON| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.