مواصفات التكنولوجيا FQP11P06
المواصفات الفنية onsemi - FQP11P06 والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ onsemi - FQP11P06
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | onsemi | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 4V @ 250µA | |
| فغس (ماكس) | ±25V | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-220-3 | |
| سلسلة | QFET® | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 175mOhm @ 5.7A, 10V | |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 53W (Tc) | |
| حزمة / كيس | TO-220-3 | |
| طَرد | Tube |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 550 pF @ 25 V | |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 17 nC @ 10 V | |
| نوع FET | P-Channel | |
| FET الميزة | - | |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 60 V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 11.4A (Tc) | |
| رقم المنتج الأساسي | FQP11 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ onsemi FQP11P06.
| سمة المنتج |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | FQP11P06 | FQP12N60C | FQP11N40C | FQP12N60C |
| الصانع | onsemi | Fairchild Semiconductor | onsemi | onsemi |
| رقم المنتج الأساسي | FQP11 | - | FQP11 | FQP12 |
| فغس (ماكس) | ±25V | ±30V | ±30V | ±30V |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 550 pF @ 25 V | 2290 pF @ 25 V | 1090 pF @ 25 V | 2290 pF @ 25 V |
| طَرد | Tube | Bulk | Tube | Tube |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| سلسلة | QFET® | QFET® | QFET® | QFET® |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 17 nC @ 10 V | 63 nC @ 10 V | 35 nC @ 10 V | 63 nC @ 10 V |
| نوع FET | P-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 60 V | 600 V | 400 V | 600 V |
| تصاعد نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 53W (Tc) | 225W (Tc) | 135W (Tc) | 225W (Tc) |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| FET الميزة | - | - | - | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 175mOhm @ 5.7A, 10V | 650mOhm @ 6A, 10V | 530mOhm @ 5.25A, 10V | 650mOhm @ 6A, 10V |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| حزمة / كيس | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 11.4A (Tc) | 12A (Tc) | 10.5A (Tc) | 12A (Tc) |
قم بتنزيل أوراق بيانات FQP11P06 PDF ووثائق onsemi لـ FQP11P06 - onsemi.
FQP11N60Fairchild (onsemi)FQP12N60CFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1FQP12N40Fairchild (onsemi)FQP11N40C MOSFairchild (onsemi)FQP11N40ConsemiMOSFET N-CH 400V 10.5A TO220-3FQP12N60ConsemiMOSFET N-CH 600V 12A TO220-3FQP11N60CFairchild (onsemi)FQP11N40CFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1FQP11N50CFonsemiMOSFET N-CH 500V 11A TO220-3FQP12N60Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 600V 10.5A TO220-3FQP12N60onsemiMOSFET N-CH 600V 10.5A TO220-3FQP11N40onsemiMOSFET N-CH 400V 11.4A TO220-3FQP12N65CFairchild (onsemi)FQP11N50CFFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 500V 11A TO220-3FQP12N20 MOSFairchild (onsemi)FQP11P06Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1FQP12P10onsemiMOSFET P-CH 100V 11.5A TO220-3
FQP12N20FSC| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.