مواصفات التكنولوجيا FQP12N60
المواصفات الفنية onsemi - FQP12N60 والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ onsemi - FQP12N60
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | onsemi | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 5V @ 250µA | |
| فغس (ماكس) | ±30V | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-220-3 | |
| سلسلة | QFET® | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 700mOhm @ 5.3A, 10V | |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 180W (Tc) | |
| حزمة / كيس | TO-220-3 | |
| طَرد | Tube |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 1900 pF @ 25 V | |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 54 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET الميزة | - | |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 600 V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 10.5A (Tc) | |
| رقم المنتج الأساسي | FQP1 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ onsemi FQP12N60.
| سمة المنتج |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | FQP12N60 | FQP11N50CF | FQP12N60 | FQP13N06L |
| الصانع | onsemi | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | onsemi |
| سلسلة | QFET® | FRFET® | QFET® | QFET® |
| رقم المنتج الأساسي | FQP1 | - | - | FQP13 |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 5V @ 250µA | 4V @ 250µA | 5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 54 nC @ 10 V | 55 nC @ 10 V | 54 nC @ 10 V | 6.4 nC @ 5 V |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 700mOhm @ 5.3A, 10V | 550mOhm @ 5.5A, 10V | 700mOhm @ 5.3A, 10V | 110mOhm @ 6.8A, 10V |
| فغس (ماكس) | ±30V | ±30V | ±30V | ±20V |
| طَرد | Tube | Tube | Tube | Tube |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 1900 pF @ 25 V | 2055 pF @ 25 V | 1900 pF @ 25 V | 350 pF @ 25 V |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 10.5A (Tc) | 11A (Tc) | 10.5A (Tc) | 13.6A (Tc) |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 180W (Tc) | 195W (Tc) | 180W (Tc) | 45W (Tc) |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| تصاعد نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| FET الميزة | - | - | - | - |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | 10V | 10V | 5V, 10V |
| حزمة / كيس | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 600 V | 500 V | 600 V | 60 V |
قم بتنزيل أوراق بيانات FQP12N60 PDF ووثائق onsemi لـ FQP12N60 - onsemi.
FQP11N50CFFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 500V 11A TO220-3FQP12N20 MOSFairchild (onsemi)FQP12N60Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 600V 10.5A TO220-3FQP13N06LonsemiMOSFET N-CH 60V 13.6A TO220-3FQP11P06onsemiMOSFET P-CH 60V 11.4A TO220-3FQP11N60CFairchild (onsemi)FQP11N50CFonsemiMOSFET N-CH 500V 11A TO220-3FQP12N60ConsemiMOSFET N-CH 600V 12A TO220-3FQP12N60CFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1FQP12N65CFairchild (onsemi)FQP12P10onsemiMOSFET P-CH 100V 11.5A TO220-3FQP11N60Fairchild (onsemi)FQP12P10 MOSFairchild (onsemi)FQP12N40Fairchild (onsemi)FQP12P20onsemiMOSFET P-CH 200V 11.5A TO220-3FQP11P06Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
FQP12N20FSCFQP13N06LFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.