مواصفات التكنولوجيا HGT1S20N60A4S9A
المواصفات الفنية onsemi - HGT1S20N60A4S9A والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ onsemi - HGT1S20N60A4S9A
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | onsemi | |
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس) | 600 V | |
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم | 2.7V @ 15V, 20A | |
| اختبار حالة | 390V, 20A, 3Ohm, 15V | |
| تد (تشغيل / إيقاف) @ 25 ° C | 15ns/73ns | |
| تحويل الطاقة | 105µJ (on), 150µJ (off) | |
| تجار الأجهزة حزمة | D²PAK (TO-263) | |
| سلسلة | - | |
| السلطة - ماكس | 290 W | |
| حزمة / كيس | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| طَرد | Tube | |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Surface Mount | |
| نوع المدخلات | Standard | |
| نوع IGBT | - | |
| بوابة المسؤول | 142 nC | |
| الحالي - جامع نابض (آي سي إم) | 280 A | |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس) | 70 A | |
| رقم المنتج الأساسي | HGT1S20 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ onsemi HGT1S20N60A4S9A.
| سمة المنتج |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | HGT1S20N60A4S9A | HGT1S14N36G3VLT | HGT1S14N36G3VLT | HGT1S3N60A4DS9A |
| الصانع | onsemi | Fairchild Semiconductor | onsemi | onsemi |
| نوع IGBT | - | - | - | - |
| اختبار حالة | 390V, 20A, 3Ohm, 15V | 300V, 7A, 25Ohm, 5V | 300V, 7A, 25Ohm, 5V | 390V, 3A, 50Ohm, 15V |
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم | 2.7V @ 15V, 20A | 2.2V @ 5V, 14A | 2.2V @ 5V, 14A | 2.7V @ 15V, 3A |
| تجار الأجهزة حزمة | D²PAK (TO-263) | I2PAK (TO-262) | I2PAK (TO-262) | D²PAK (TO-263) |
| طَرد | Tube | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tube |
| حزمة / كيس | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| نوع المدخلات | Standard | Logic | Logic | Standard |
| بوابة المسؤول | 142 nC | 24 nC | 24 nC | 21 nC |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس) | 70 A | 18 A | 18 A | 17 A |
| الحالي - جامع نابض (آي سي إم) | 280 A | - | - | 40 A |
| سلسلة | - | - | - | - |
| السلطة - ماكس | 290 W | 100 W | 100 W | 70 W |
| رقم المنتج الأساسي | HGT1S20 | - | HGT1S14 | HGT1S3N60 |
| تحويل الطاقة | 105µJ (on), 150µJ (off) | - | - | 37µJ (on), 25µJ (off) |
| تصاعد نوع | Surface Mount | Through Hole | Through Hole | Surface Mount |
| تد (تشغيل / إيقاف) @ 25 ° C | 15ns/73ns | -/7µs | -/7µs | 6ns/73ns |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 175°C (TJ) | -40°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس) | 600 V | 390 V | 390 V | 600 V |
قم بتنزيل أوراق بيانات HGT1S20N60A4S9A PDF ووثائق onsemi لـ HGT1S20N60A4S9A - onsemi.
HGT1S14N36G3VLTFairchild SemiconductorN-CHANNEL IGBTHGT1S14N36G3VLTonsemiIGBT 390V 18A 100W TO262AA
HGT1S3N60C3DS9AIntersil (Renesas Electronics Corporation)HGT1S3N60A4DS9AonsemiIGBT 600V 17A 70W D2PAKHGT1S3N60A4DSFairchild (onsemi)HGT1S20N60C3SFairchild (onsemi)HGT1S2N120CNFairchild SemiconductorN-CHANNEL IGBT
HGT1S20N36G3VLSR4737INTERSIL/FAIRCHILDHGT1S3N60A4DS9AFairchild SemiconductorN-CHANNEL IGBTHGT1S20N36G3VLSFairchild SemiconductorIGBT, 37.7A, 355V, N-CHANNELHGT1S2N120CNonsemiIGBT 1200V 13A 104W I2PAKHGT1S14N36G3VLFairchild (onsemi)HGT1S3N60B3DSHarris Corporation7A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBTHGT1S20N60C3RHarris Corporation40A, 600V, RUGGED N-CHANNEL IGBTHGT1S14N41G3VLS9AFairchild (onsemi)HGT1S14N41G3VLSR4874Fairchild (onsemi)HGT1S14N40G3VLSFairchild (onsemi)HGT1S14N40F3VLSFSC| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.