مواصفات التكنولوجيا HGT1S2N120CN
المواصفات الفنية Fairchild Semiconductor - HGT1S2N120CN والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Fairchild Semiconductor - HGT1S2N120CN
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Fairchild (onsemi) | |
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس) | 1200 V | |
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم | 2.4V @ 15V, 2.6A | |
| اختبار حالة | 960V, 2.6A, 51Ohm, 15V | |
| تد (تشغيل / إيقاف) @ 25 ° C | 25ns/205ns | |
| تحويل الطاقة | 96µJ (on), 355µJ (off) | |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-262 | |
| سلسلة | - | |
| السلطة - ماكس | 104 W |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| حزمة / كيس | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | |
| طَرد | Tube | |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| نوع المدخلات | Standard | |
| نوع IGBT | NPT | |
| بوابة المسؤول | 30 nC | |
| الحالي - جامع نابض (آي سي إم) | 20 A | |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس) | 13 A |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Fairchild Semiconductor HGT1S2N120CN.
| سمة المنتج |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | HGT1S2N120CN | HGT1S3N60A4DS9A | HGT1S20N60A4S9A | HGT1S20N36G3VLS |
| الصانع | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | onsemi | Fairchild Semiconductor |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-262 | D2PAK (TO-263) | D²PAK (TO-263) | TO-263AB |
| نوع المدخلات | Standard | Standard | Standard | Logic |
| تحويل الطاقة | 96µJ (on), 355µJ (off) | 37µJ (on), 25µJ (off) | 105µJ (on), 150µJ (off) | - |
| تصاعد نوع | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| طَرد | Tube | Tube | Tube | Bulk |
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس) | 1200 V | 600 V | 600 V | 415 V |
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم | 2.4V @ 15V, 2.6A | 2.7V @ 15V, 3A | 2.7V @ 15V, 20A | 1.9V @ 5V, 20A |
| حزمة / كيس | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| الحالي - جامع نابض (آي سي إم) | 20 A | 40 A | 280 A | - |
| نوع IGBT | NPT | - | - | - |
| سلسلة | - | - | - | - |
| السلطة - ماكس | 104 W | 70 W | 290 W | 150 W |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس) | 13 A | 17 A | 70 A | 37.7 A |
| تد (تشغيل / إيقاف) @ 25 ° C | 25ns/205ns | 6ns/73ns | 15ns/73ns | -/15µs |
| اختبار حالة | 960V, 2.6A, 51Ohm, 15V | 390V, 3A, 50Ohm, 15V | 390V, 20A, 3Ohm, 15V | 300V, 10A, 25Ohm, 5V |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| بوابة المسؤول | 30 nC | 21 nC | 142 nC | 28.7 nC |
HGT1S5N120CNDSFairchild (onsemi)HGT1S3N60A4DS9AFairchild SemiconductorN-CHANNEL IGBTHGT1S14N40G3VLSFairchild (onsemi)HGT1S14N41G3VLSR4874Fairchild (onsemi)HGT1S20N60A4S9AonsemiIGBT 600V 70A 290W TO263ABHGT1S14N41G3VLS9AFairchild (onsemi)HGT1S20N60C3SFairchild (onsemi)HGT1S20N36G3VLSFairchild SemiconductorIGBT, 37.7A, 355V, N-CHANNELHGT1S3N60A4DS9AonsemiIGBT 600V 17A 70W D2PAKHGT1S7N60A4DFairchild (onsemi)HGT1S14N40F3VLSFSCHGT1S20N60C3RHarris Corporation40A, 600V, RUGGED N-CHANNEL IGBT
HGT1S2N120CNonsemiIGBT 1200V 13A 104W I2PAKHGT1S20N36G3VLSR4737INTERSIL/FAIRCHILDHGT1S3N60A4DSFairchild (onsemi)HGT1S7N60A4DSonsemiIGBT 600V 34A 125W TO263AB
HGT1S3N60C3DS9AIntersil (Renesas Electronics Corporation)HGT1S3N60B3DSHarris Corporation7A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.