مواصفات التكنولوجيا HGTP12N60C3D
المواصفات الفنية onsemi - HGTP12N60C3D والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ onsemi - HGTP12N60C3D
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | onsemi | |
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس) | 600 V | |
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم | 2.2V @ 15V, 15A | |
| اختبار حالة | - | |
| تد (تشغيل / إيقاف) @ 25 ° C | - | |
| تحويل الطاقة | 380µJ (on), 900µJ (off) | |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-220-3 | |
| سلسلة | - | |
| عكس وقت الاسترداد (TRR) | 40 ns | |
| السلطة - ماكس | 104 W |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| حزمة / كيس | TO-220-3 | |
| طَرد | Tube | |
| درجة حرارة التشغيل | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| نوع المدخلات | Standard | |
| نوع IGBT | - | |
| بوابة المسؤول | 48 nC | |
| الحالي - جامع نابض (آي سي إم) | 96 A | |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس) | 24 A | |
| رقم المنتج الأساسي | HGTP12N60 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ onsemi HGTP12N60C3D.
| سمة المنتج |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | HGTP12N60C3D | HGTP12N60C3D | HGTP14N36G3VL | HGTP12N60A4D |
| الصانع | onsemi | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor |
| السلطة - ماكس | 104 W | 104 W | 100 W | 167 W |
| الحالي - جامع نابض (آي سي إم) | 96 A | 96 A | - | 96 A |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس) | 24 A | 24 A | 18 A | 54 A |
| بوابة المسؤول | 48 nC | 48 nC | 24 nC | 78 nC |
| سلسلة | - | - | - | - |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220AB | TO-220-3 |
| تد (تشغيل / إيقاف) @ 25 ° C | - | - | - | 17ns/96ns |
| نوع المدخلات | Standard | Standard | Logic | Standard |
| تحويل الطاقة | 380µJ (on), 900µJ (off) | 380µJ (on), 900µJ (off) | - | 55µJ (on), 50µJ (off) |
| اختبار حالة | - | - | - | 390V, 12A, 10Ohm, 15V |
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم | 2.2V @ 15V, 15A | 2.2V @ 15V, 15A | 2.2V @ 5V, 14A | 2.7V @ 15V, 12A |
| طَرد | Tube | Bulk | Bulk | Bulk |
| عكس وقت الاسترداد (TRR) | 40 ns | 40 ns | - | 30 ns |
| حزمة / كيس | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| نوع IGBT | - | - | Trench | - |
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس) | 600 V | 600 V | 390 V | 600 V |
| درجة حرارة التشغيل | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| رقم المنتج الأساسي | HGTP12N60 | - | - | - |
قم بتنزيل أوراق بيانات HGTP12N60C3D PDF ووثائق onsemi لـ HGTP12N60C3D - onsemi.
HGTP14N40F3VLFairchild (onsemi)HGTP2N120BNDFairchild (onsemi)HGTP1N120BNDFairchild (onsemi)HGTP12N60C3DFairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOHGTP20N60C3Fairchild (onsemi)HGTP14N41G3Fairchild (onsemi)HGTP1N120CNDFairchild (onsemi)
HGTP12N60A4Harris CorporationHGTP12N60 - 24A, 600V, RUGGED, UHGTP14N36G3VLFairchild SemiconductorInsulated Gate Bipolar TransistoHGTP12N60A4DFairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOHGTP12N60A4Fairchild SemiconductorUFS SERIES N-CH IGBTHGTP20N60A4onsemiIGBT 600V 70A TO220-3HGTP20N60B3HARRIS
HGTP12N60B3DIntersil (Renesas Electronics Corporation)HGTP12N60A4DonsemiIGBT 600V 54A TO220-3HGTP12N60A4onsemiIGBT 600V 54A 167W TO220ABHGTP12N60A4 12N60A4FSCHGTP12N60C3onsemiIGBT 600V 24A 104W TO220AB| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.