مواصفات التكنولوجيا HGTP12N60A4
المواصفات الفنية Fairchild Semiconductor - HGTP12N60A4 والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Fairchild Semiconductor - HGTP12N60A4
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Fairchild (onsemi) | |
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس) | 600 V | |
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم | 2.7V @ 15V, 12A | |
| اختبار حالة | 390V, 12A, 10Ohm, 15V | |
| تد (تشغيل / إيقاف) @ 25 ° C | 17ns/96ns | |
| تحويل الطاقة | 55µJ (on), 50µJ (off) | |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-220-3 | |
| سلسلة | - | |
| السلطة - ماكس | 167 W |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| حزمة / كيس | TO-220-3 | |
| طَرد | Tube | |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| نوع المدخلات | Standard | |
| نوع IGBT | - | |
| بوابة المسؤول | 78 nC | |
| الحالي - جامع نابض (آي سي إم) | 96 A | |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس) | 54 A |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Fairchild Semiconductor HGTP12N60A4.
| سمة المنتج |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | HGTP12N60A4 | HGTG7N60A4 | HGTG40N60C3 | HGTP10N120BN |
| الصانع | Fairchild Semiconductor | onsemi | Harris Corporation | onsemi |
| حزمة / كيس | TO-220-3 | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-220-3 |
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس) | 600 V | 600 V | 600 V | 1200 V |
| تصاعد نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس) | 54 A | 34 A | 75 A | 35 A |
| تحويل الطاقة | 55µJ (on), 50µJ (off) | 55µJ (on), 60µJ (off) | 850mJ (on), 1mJ (off) | 320µJ (on), 800µJ (off) |
| بوابة المسؤول | 78 nC | 37 nC | 395 nC | 100 nC |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| طَرد | Tube | Tube | Bulk | Tube |
| سلسلة | - | - | - | - |
| نوع IGBT | - | - | - | NPT |
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم | 2.7V @ 15V, 12A | 2.7V @ 15V, 7A | 1.8V @ 15V, 40A | 2.7V @ 15V, 10A |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-220-3 | TO-247-3 | TO-247 | TO-220-3 |
| تد (تشغيل / إيقاف) @ 25 ° C | 17ns/96ns | 11ns/100ns | 47ns/185ns | 23ns/165ns |
| الحالي - جامع نابض (آي سي إم) | 96 A | 56 A | 300 A | 80 A |
| السلطة - ماكس | 167 W | 125 W | 291 W | 298 W |
| نوع المدخلات | Standard | Standard | Standard | Standard |
| اختبار حالة | 390V, 12A, 10Ohm, 15V | 390V, 7A, 25Ohm, 15V | 480V, 40A, 3Ohm, 15V | 960V, 10A, 10Ohm, 15V |
HGTP12N60B3DIntersil (Renesas Electronics Corporation)HGTG7N60A4onsemiIGBT 600V 34A 125W TO247HGTG40N60C3Harris Corporation75A, 600V, N-CHANNEL IGBTHGTP10N120BNonsemiIGBT 1200V 35A 298W TO220AB
HGTP12N60C3DFairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOHGTP12N60A4DonsemiIGBT 600V 54A TO220-3HGTP12N60C3onsemiIGBT 600V 24A 104W TO220ABHGTP12N60A4onsemiIGBT 600V 54A 167W TO220ABHGTP11N120CNDFairchild (onsemi)HGTP12N60C3DonsemiIGBT 600V 24A TO220-3HGTP12N60A4 12N60A4FSCHGTG7N60A4DonsemiIGBT 600V 34A 125W TO247HGTP12N60A4DFairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOHGTG7N60A4DHarris CorporationN-CHANNEL IGBTHGTP12N60A4Harris CorporationHGTP12N60 - 24A, 600V, RUGGED, UHGTN30N60A4DIntersil (Renesas Electronics Corporation)IGBT ModuleHGTP11N120CNFairchild (onsemi)HGTG5N120BNDonsemiIGBT NPT 1200V 21A TO247-3| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.