مواصفات التكنولوجيا HGTG5N120BND
المواصفات الفنية onsemi - HGTG5N120BND والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ onsemi - HGTG5N120BND
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | onsemi | |
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس) | 1200 V | |
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم | 2.7V @ 15V, 5A | |
| اختبار حالة | 960V, 5A, 25Ohm, 15V | |
| تد (تشغيل / إيقاف) @ 25 ° C | 22ns/160ns | |
| تحويل الطاقة | 450µJ (on), 390µJ (off) | |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-247-3 | |
| سلسلة | - | |
| عكس وقت الاسترداد (TRR) | 65 ns | |
| السلطة - ماكس | 167 W |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| حزمة / كيس | TO-247-3 | |
| طَرد | Tube | |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| نوع المدخلات | Standard | |
| نوع IGBT | NPT | |
| بوابة المسؤول | 53 nC | |
| الحالي - جامع نابض (آي سي إم) | 40 A | |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس) | 21 A | |
| رقم المنتج الأساسي | HGTG5N120 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ onsemi HGTG5N120BND.
| سمة المنتج |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | HGTG5N120BND | HGTP10N120BN | HGTG7N60A4D | HGTG40N60C3 |
| الصانع | onsemi | onsemi | onsemi | Harris Corporation |
| تد (تشغيل / إيقاف) @ 25 ° C | 22ns/160ns | 23ns/165ns | 11ns/100ns | 47ns/185ns |
| تصاعد نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| نوع المدخلات | Standard | Standard | Standard | Standard |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-247-3 | TO-220-3 | TO-247-3 | TO-247 |
| السلطة - ماكس | 167 W | 298 W | 125 W | 291 W |
| اختبار حالة | 960V, 5A, 25Ohm, 15V | 960V, 10A, 10Ohm, 15V | 390V, 7A, 25Ohm, 15V | 480V, 40A, 3Ohm, 15V |
| بوابة المسؤول | 53 nC | 100 nC | 37 nC | 395 nC |
| تحويل الطاقة | 450µJ (on), 390µJ (off) | 320µJ (on), 800µJ (off) | 55µJ (on), 60µJ (off) | 850mJ (on), 1mJ (off) |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس) | 21 A | 35 A | 34 A | 75 A |
| الحالي - جامع نابض (آي سي إم) | 40 A | 80 A | 56 A | 300 A |
| نوع IGBT | NPT | NPT | - | - |
| عكس وقت الاسترداد (TRR) | 65 ns | - | 34 ns | - |
| طَرد | Tube | Tube | Tube | Bulk |
| رقم المنتج الأساسي | HGTG5N120 | HGTP10 | HGTG7N60 | - |
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس) | 1200 V | 1200 V | 600 V | 600 V |
| سلسلة | - | - | - | - |
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم | 2.7V @ 15V, 5A | 2.7V @ 15V, 10A | 2.7V @ 15V, 7A | 1.8V @ 15V, 40A |
| حزمة / كيس | TO-247-3 | TO-220-3 | TO-247-3 | TO-247-3 |
قم بتنزيل أوراق بيانات HGTG5N120BND PDF ووثائق onsemi لـ HGTG5N120BND - onsemi.
HGTP10N120BNonsemiIGBT 1200V 35A 298W TO220ABHGTG7N60A4DonsemiIGBT 600V 34A 125W TO247HGTG30N60D1DHIR
HGTG3N60B3Fairchild (onsemi)
HGTN30N60A4DIntersil (Renesas Electronics Corporation)IGBT ModuleHGTG40N60A4DFairchild (onsemi)IGBT ModuleHGTP11N120CNDFairchild (onsemi)HGTG40N60C3Harris Corporation75A, 600V, N-CHANNEL IGBTHGTP12N60A4Harris CorporationHGTP12N60 - 24A, 600V, RUGGED, UHGTG40N60B3onsemiIGBT 600V 70A 290W TO247HGTG40N60A4Fairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOHGTG30N60C3DonsemiIGBT 600V 63A TO247-3HGTP11N120CNFairchild (onsemi)HGTG7N60A4DHarris CorporationN-CHANNEL IGBTHGTG7N60A4onsemiIGBT 600V 34A 125W TO247HGTP12N60A4Fairchild SemiconductorUFS SERIES N-CH IGBTHGTG40N60A4onsemiIGBT 600V 75A TO247-3HGTG40N60B3Harris Corporation70A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.