مواصفات التكنولوجيا HGTG40N60A4
المواصفات الفنية onsemi - HGTG40N60A4 والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ onsemi - HGTG40N60A4
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | onsemi | |
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس) | 600 V | |
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم | 2.7V @ 15V, 40A | |
| اختبار حالة | 390V, 40A, 2.2Ohm, 15V | |
| تد (تشغيل / إيقاف) @ 25 ° C | 25ns/145ns | |
| تحويل الطاقة | 400µJ (on), 370µJ (off) | |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-247-3 | |
| سلسلة | - | |
| السلطة - ماكس | 625 W | |
| حزمة / كيس | TO-247-3 |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| طَرد | Tube | |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| نوع المدخلات | Standard | |
| نوع IGBT | - | |
| بوابة المسؤول | 350 nC | |
| الحالي - جامع نابض (آي سي إم) | 300 A | |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس) | 75 A | |
| رقم المنتج الأساسي | HGTG40 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ onsemi HGTG40N60A4.
| سمة المنتج |  |
|
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | HGTG40N60A4 | HGTG30N60B3 | HGTG30N60C3D | HGTG40N60A4 |
| الصانع | onsemi | Harris Corporation | onsemi | Fairchild Semiconductor |
| تصاعد نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس) | 600 V | 600 V | 600 V | 600 V |
| رقم المنتج الأساسي | HGTG40 | - | HGTG30 | - |
| الحالي - جامع نابض (آي سي إم) | 300 A | 220 A | 252 A | 300 A |
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم | 2.7V @ 15V, 40A | 1.9V @ 15V, 30A | 1.8V @ 15V, 30A | 2.7V @ 15V, 40A |
| حزمة / كيس | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 |
| طَرد | Tube | Tube | Tube | Bulk |
| بوابة المسؤول | 350 nC | 170 nC | 162 nC | 350 nC |
| اختبار حالة | 390V, 40A, 2.2Ohm, 15V | 480V, 30A, 3Ohm, 15V | - | 390V, 40A, 2.2Ohm, 15V |
| السلطة - ماكس | 625 W | 208 W | 208 W | 625 W |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-247-3 | TO-247 | TO-247-3 | TO-247 |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس) | 75 A | 60 A | 63 A | 75 A |
| نوع المدخلات | Standard | Standard | Standard | Standard |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تحويل الطاقة | 400µJ (on), 370µJ (off) | 500µJ (on), 680µJ (off) | 1.05mJ (on), 2.5mJ (off) | 400µJ (on), 370µJ (off) |
| تد (تشغيل / إيقاف) @ 25 ° C | 25ns/145ns | 36ns/137ns | - | 25ns/145ns |
| نوع IGBT | - | - | - | - |
| سلسلة | - | - | - | - |
قم بتنزيل أوراق بيانات HGTG40N60A4 PDF ووثائق onsemi لـ HGTG40N60A4 - onsemi.
HGTG30N60B3Harris Corporation600 V, NPT IGBTHGTG30N60C3DonsemiIGBT 600V 63A TO247-3HGTG40N60A4Fairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOHGTG40N60C3Harris Corporation75A, 600V, N-CHANNEL IGBTHGTG7N60A4DonsemiIGBT 600V 34A 125W TO247HGTG7N60A4onsemiIGBT 600V 34A 125W TO247HGTG3N60B3Fairchild (onsemi)HGTG30N60C3Harris Corporation63A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBTHGTG40N60A4DFairchild (onsemi)IGBT ModuleHGTG40N60B3Harris Corporation70A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBTHGTG30N60B3onsemiIGBT 600V 60A 208W TO247HGTG7N60A4DHarris CorporationN-CHANNEL IGBTHGTG40N60B3onsemiIGBT 600V 70A 290W TO247HGTG30N60D1DHIRHGTG30N60C3DFairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
HGTN30N60A4DIntersil (Renesas Electronics Corporation)IGBT ModuleHGTG30N60B3DonsemiIGBT 600V 60A TO247-3HGTG5N120BNDonsemiIGBT NPT 1200V 21A TO247-3| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.