مواصفات التكنولوجيا HGTG30N60C3
المواصفات الفنية Harris Corporation - HGTG30N60C3 والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Harris Corporation - HGTG30N60C3
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Harris Corporation | |
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس) | 600 V | |
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم | 1.8V @ 15V, 30A | |
| اختبار حالة | 480V, 30A, 3Ohm, 15V | |
| تد (تشغيل / إيقاف) @ 25 ° C | 40ns/320ns | |
| تحويل الطاقة | 1.05mJ (on), 2.5mJ (off) | |
| تجار الأجهزة حزمة | SUPER-247 (TO-274AA) | |
| سلسلة | - | |
| السلطة - ماكس | 208 W |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| حزمة / كيس | TO-274AA | |
| طَرد | Bulk | |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| نوع المدخلات | Standard | |
| نوع IGBT | - | |
| بوابة المسؤول | 250 nC | |
| الحالي - جامع نابض (آي سي إم) | 252 A | |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس) | 63 A |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Harris Corporation HGTG30N60C3.
| سمة المنتج | |
|
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | HGTG30N60C3 | HGTG27N60C3R | HGTG30N60C3D | HGTG30N60B3D |
| الصانع | Harris Corporation | Harris Corporation | Fairchild Semiconductor | onsemi |
| تصاعد نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| نوع IGBT | - | - | - | - |
| نوع المدخلات | Standard | Standard | Standard | Standard |
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس) | 600 V | 600 V | 600 V | 600 V |
| حزمة / كيس | TO-274AA | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 |
| بوابة المسؤول | 250 nC | 212 nC | 162 nC | 170 nC |
| السلطة - ماكس | 208 W | 208 W | 208 W | 208 W |
| تحويل الطاقة | 1.05mJ (on), 2.5mJ (off) | - | 1.05mJ (on), 2.5mJ (off) | 550µJ (on), 680µJ (off) |
| طَرد | Bulk | Bulk | Bulk | Tube |
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم | 1.8V @ 15V, 30A | 2.2V @ 15V, 27A | 1.8V @ 15V, 30A | 1.9V @ 15V, 30A |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس) | 63 A | 54 A | 63 A | 60 A |
| سلسلة | - | - | - | - |
| تد (تشغيل / إيقاف) @ 25 ° C | 40ns/320ns | - | - | 36ns/137ns |
| اختبار حالة | 480V, 30A, 3Ohm, 15V | - | - | 480V, 30A, 3Ohm, 15V |
| الحالي - جامع نابض (آي سي إم) | 252 A | 108 A | 252 A | 220 A |
| تجار الأجهزة حزمة | SUPER-247 (TO-274AA) | TO-247 | TO-247 | TO-247-3 |
HGTG40N60A4DFairchild (onsemi)IGBT ModuleHGTG27N60C3RHarris Corporation54A, 600V, RUGGED N-CHANNEL IGBTHGTG30N60C3DFairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOHGTG30N60B3DonsemiIGBT 600V 60A TO247-3HGTG30N60B3Harris Corporation600 V, NPT IGBTHGTG30N60B3onsemiIGBT 600V 60A 208W TO247HGTG40N60B3Harris Corporation70A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBTHGTG27N120BNFairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOHGTG24N60D1DHarris CorporationUFS SERIES N-CHANNEL IGBTHGTG30N60C3DonsemiIGBT 600V 63A TO247-3HGTG40N60A4Fairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOHGTG30N60A4onsemiIGBT 600V 75A TO247-3HGTG40N60A4onsemiIGBT 600V 75A TO247-3HGTG40N60B3onsemiIGBT 600V 70A 290W TO247HGTG30N60A4DonsemiIGBT 600V 75A 463W TO247HGTG27N120BNonsemiIGBT NPT 1200V 72A TO247-3HGTG3N60B3Fairchild (onsemi)HGTG30N60D1DHIR| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.