مواصفات التكنولوجيا MBRD835LT4G
المواصفات الفنية onsemi - MBRD835LT4G والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ onsemi - MBRD835LT4G
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | onsemi | |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 510 mV @ 8 A | |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 35 V | |
| تكنولوجيا | Schottky | |
| تجار الأجهزة حزمة | DPAK | |
| سرعة | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| سلسلة | SWITCHMODE™ | |
| حزمة / كيس | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| طَرد | Tape & Reel (TR) | |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -65°C ~ 150°C | |
| تصاعد نوع | Surface Mount | |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 1.4 mA @ 35 V | |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 8A | |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | - | |
| رقم المنتج الأساسي | MBRD835 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ onsemi MBRD835LT4G.
| سمة المنتج |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | MBRD835LT4G | MBRD835LG | MBRD835LT4 | MBRF10100 |
| الصانع | onsemi | Fairchild Semiconductor | onsemi | Taiwan Semiconductor Corporation |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 8A | 8A | 8A | 10A |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 1.4 mA @ 35 V | 1.4 mA @ 35 V | 1.4 mA @ 35 V | 100 µA @ 100 V |
| حزمة / كيس | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-220-2 Full Pack |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C | - | -55°C ~ 150°C |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 510 mV @ 8 A | 510 mV @ 8 A | 510 mV @ 8 A | 850 mV @ 10 A |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | - | - | - | - |
| سرعة | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| تكنولوجيا | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky |
| تصاعد نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole |
| طَرد | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tube |
| تجار الأجهزة حزمة | DPAK | DPAK | DPAK | ITO-220AC |
| رقم المنتج الأساسي | MBRD835 | - | MBRD835 | MBRF10100 |
| سلسلة | SWITCHMODE™ | SWITCHMODE™ | - | - |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 35 V | 35 V | 35 V | 100 V |
قم بتنزيل أوراق بيانات MBRD835LT4G PDF ووثائق onsemi لـ MBRD835LT4G - onsemi.
MBRF10100CT-JTDiodes IncorporatedDIODE ARRAY 100V 5A ITO220ABMBRF10100CTTaiwan Semiconductor CorporationDIODE SCHOTTKY 100V 10A ITO220ABMBRD835LGFairchild SemiconductorDIODE SCHOTTKY 35V 8A DPAK
MBRF10100CMOSPECMBRF10100CT-GSSG
MBRD835L MOSAMI Semiconductor/onsemiMBRD835L-T4AMI Semiconductor/onsemiMBRD835LT4onsemiDIODE SCHOTTKY 35V 8A DPAKMBRF10100Taiwan Semiconductor CorporationDIODE SCHOTTKY 100V 10A ITO220ACMBRD835LGonsemiDIODE SCHOTTKY 35V 8A DPAKMBRD835LonsemiDIODE SCHOTTKY 35V 8A DPAK
MBRF10100CTSMC Diode SolutionsDIODE ARRAY SCHOTTKY 100V ITO220MBRD835LT4G.AMI Semiconductor/onsemiMBRF10100CT-U/PKEC
MBRD835L-TDiodes IncorporatedDIODE SCHOTTKY 35V 8A TO252MBRF10100SMC Diode SolutionsDIODE SCHOTTKY 100V ITO220ACMBRD835LTAMI Semiconductor/onsemiMBRD835LT4 MOSAMI Semiconductor/onsemi| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.