مواصفات التكنولوجيا IRF224
المواصفات الفنية International Rectifier - IRF224 والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ International Rectifier - IRF224
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Infineon Technologies | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | - | |
| فغس (ماكس) | - | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-204AA (TO-3) | |
| سلسلة | - | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | - | |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 40W | |
| حزمة / كيس | TO-204AA, TO-3 |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| طَرد | Bulk | |
| درجة حرارة التشغيل | - | |
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET الميزة | - | |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | - | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 250 V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 3.8A |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ International Rectifier IRF224.
| سمة المنتج |  |
|
 |
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | IRF224 | IRF244 | IRF2204LPBF | IRF230 |
| الصانع | International Rectifier | Harris Corporation | Infineon Technologies | Harris Corporation |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| فغس (ماكس) | - | ±20V | ±20V | ±20V |
| FET الميزة | - | - | - | - |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 250 V | 250 V | 40 V | 200 V |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | - | 280mOhm @ 8A, 10V | 3.6mOhm @ 130A, 10V | 400mOhm @ 5A, 10V |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | - | 10V | 10V | - |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 3.8A | 8.8A (Tc) | 170A (Tc) | 9A (Tc) |
| حزمة / كيس | TO-204AA, TO-3 | TO-204AA, TO-3 | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-204AA, TO-3 |
| طَرد | Bulk | Bulk | Tube | Bag |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-204AA (TO-3) | TO-3 | TO-262 | TO-3 |
| تصاعد نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 40W | 125W (Tc) | 200W (Tc) | 75W (Tc) |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | - | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| سلسلة | - | - | HEXFET® | - |
| درجة حرارة التشغيل | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
IRF250IRIRF2307DIRIRF2204LIR/VISHAYIRF244Harris CorporationN-CHANNEL POWER MOSFETIRF2204LPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 40V 170A TO262IRF222IRIRF222GE/RCAIRIRF230Harris CorporationMOSFET N-CH 200V 9A TO3IRF240IRIGBT ModuleIRF2204SIR
IRF2204PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 40V 210A TO220AB
IRF250P224Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 250V 96A TO247ACIRF2301SIRIRF2204S F2204SIRIRF2204SPBFInternational RectifierIRF2204 - POWER FIELD-EFFECT TRAIRF23N20DPBFIRIRF2204S MOSIRIRF250P225Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 250V 69A TO247AC| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.