مواصفات التكنولوجيا IRF250P224
المواصفات الفنية Infineon Technologies - IRF250P224 والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Infineon Technologies - IRF250P224
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Infineon Technologies | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 4V @ 270µA | |
| فغس (ماكس) | ±20V | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-247AC | |
| سلسلة | StrongIRFET™ | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 12mOhm @ 58A, 10V | |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 313W (Tc) | |
| حزمة / كيس | TO-247-3 | |
| طَرد | Tube |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 9915 pF @ 50 V | |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 203 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET الميزة | - | |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 250 V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 96A (Tc) | |
| رقم المنتج الأساسي | IRF250 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Infineon Technologies IRF250P224.
| سمة المنتج |  |
|
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | IRF250P224 | IRF250P225 | IRF224 | IRF230 |
| الصانع | Infineon Technologies | Infineon Technologies | International Rectifier | Harris Corporation |
| سلسلة | StrongIRFET™ | StrongIRFET™ | - | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 12mOhm @ 58A, 10V | 22mOhm @ 41A, 10V | - | 400mOhm @ 5A, 10V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 203 nC @ 10 V | 96 nC @ 10 V | - | 30 nC @ 10 V |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 4V @ 270µA | 4V @ 270µA | - | 4V @ 250µA |
| FET الميزة | - | - | - | - |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 250 V | 250 V | 250 V | 200 V |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 9915 pF @ 50 V | 4897 pF @ 50 V | - | 600 pF @ 25 V |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-247AC | TO-247AC | TO-204AA (TO-3) | TO-3 |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | 10V | - | - |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 96A (Tc) | 69A (Tc) | 3.8A | 9A (Tc) |
| تصاعد نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| رقم المنتج الأساسي | IRF250 | IRF250 | - | - |
| فغس (ماكس) | ±20V | ±20V | - | ±20V |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 313W (Tc) | 313W (Tc) | 40W | 75W (Tc) |
| حزمة / كيس | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-204AA, TO-3 | TO-204AA, TO-3 |
| طَرد | Tube | Tube | Bulk | Bag |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
قم بتنزيل أوراق بيانات IRF250P224 PDF ووثائق Infineon Technologies لـ IRF250P224 - Infineon Technologies.
IRF2301SIRIRF250IRIRF2307DIRIRF250P225Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 250V 69A TO247ACIRF224International RectifierN-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
IRF2764A-2F1STMicroelectronicsIRF2804LIRIRF240IRIGBT ModuleIRF2804L MOSIRIRF222GE/RCAIRIRF252IRIRF230Harris CorporationMOSFET N-CH 200V 9A TO3IRF25H112IORIRF23N20DPBFIRIRF250P225 MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)
IRF2804Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 40V 75A TO220ABIRF2804LPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 40V 75A TO262IRF244Harris CorporationN-CHANNEL POWER MOSFET| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.