مواصفات التكنولوجيا IRF640NPBF
المواصفات الفنية Infineon Technologies - IRF640NPBF والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Infineon Technologies - IRF640NPBF
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Infineon Technologies | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 4V @ 250µA | |
| فغس (ماكس) | ±20V | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-220AB | |
| سلسلة | HEXFET® | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 150mOhm @ 11A, 10V | |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 150W (Tc) | |
| حزمة / كيس | TO-220-3 | |
| طَرد | Tube |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 1160 pF @ 25 V | |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 67 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET الميزة | - | |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 200 V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 18A (Tc) | |
| رقم المنتج الأساسي | IRF640 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Infineon Technologies IRF640NPBF.
| سمة المنتج |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | IRF640NPBF | IRF640FP | IRF640NSTRLPBF | IRF640NSPBF |
| الصانع | Infineon Technologies | STMicroelectronics | Infineon Technologies | International Rectifier |
| FET الميزة | - | - | - | - |
| رقم المنتج الأساسي | IRF640 | IRF6 | IRF640 | - |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 200 V | 200 V | 200 V | 200 V |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 150W (Tc) | 40W (Tc) | 150W (Tc) | 150W (Tc) |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-220AB | TO-220FP | D2PAK | D2PAK |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 150mOhm @ 11A, 10V | 180mOhm @ 9A, 10V | 150mOhm @ 11A, 10V | 150mOhm @ 11A, 10V |
| فغس (ماكس) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| سلسلة | HEXFET® | MESH OVERLAY™ | HEXFET® | HEXFET® |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 175°C (TJ) | 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 18A (Tc) | 18A (Tc) | 18A (Tc) | 18A (Tc) |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | 10V | 10V | - |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 1160 pF @ 25 V | 1560 pF @ 25 V | 1160 pF @ 25 V | 1160 pF @ 25 V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 67 nC @ 10 V | 72 nC @ 10 V | 67 nC @ 10 V | 67 nC @ 10 V |
| تصاعد نوع | Through Hole | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount |
| طَرد | Tube | Tube | Tape & Reel (TR) | Bulk |
| حزمة / كيس | TO-220-3 | TO-220-3 Full Pack | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
قم بتنزيل أوراق بيانات IRF640NPBF PDF ووثائق Infineon Technologies لـ IRF640NPBF - Infineon Technologies.
IRF640FPSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 200V 18A TO220FP
IRF640NSTRIRIRF640NSTRRIRIRF640NSIR
IRF640BFairchild (onsemi)IRF640NLPBF MOSIRIRF640 MOSIRIRF640BTSTU_FP001Fairchild (onsemi)IRF640NSTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 200V 18A D2PAKIRF640NSPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
IRF640LPBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 200V 18A TO262-3IRF640NSTRPBFIRIRF640AFairchild (onsemi)IRF640NSTRLIRIRF640NPBF MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IRF640NIRIRF640NS MOSIRIRF640NLPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 200V 18A TO262| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.