مواصفات التكنولوجيا IRF640NSPBF
المواصفات الفنية International Rectifier - IRF640NSPBF والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ International Rectifier - IRF640NSPBF
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Infineon Technologies | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 4V @ 250µA | |
| فغس (ماكس) | ±20V | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | D2PAK | |
| سلسلة | HEXFET® | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 150mOhm @ 11A, 10V | |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 150W (Tc) | |
| حزمة / كيس | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| طَرد | Bulk | |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Surface Mount | |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 1160 pF @ 25 V | |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 67 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET الميزة | - | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 200 V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 18A (Tc) |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ International Rectifier IRF640NSPBF.
| سمة المنتج |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | IRF640NSPBF | IRF640NPBF | IRF640PBF | IRF640NLPBF |
| الصانع | International Rectifier | Infineon Technologies | Vishay Siliconix | Infineon Technologies |
| طَرد | Bulk | Tube | Bulk | Tube |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 150W (Tc) | 150W (Tc) | 125W (Tc) | 150W (Tc) |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| فغس (ماكس) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 200 V | 200 V | 200 V | 200 V |
| تصاعد نوع | Surface Mount | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 18A (Tc) | 18A (Tc) | 18A (Tc) | 18A (Tc) |
| FET الميزة | - | - | - | - |
| سلسلة | HEXFET® | HEXFET® | - | HEXFET® |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 1160 pF @ 25 V | 1160 pF @ 25 V | 1300 pF @ 25 V | 1160 pF @ 25 V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 67 nC @ 10 V | 67 nC @ 10 V | 70 nC @ 10 V | 67 nC @ 10 V |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 150mOhm @ 11A, 10V | 150mOhm @ 11A, 10V | 180mOhm @ 11A, 10V | 150mOhm @ 11A, 10V |
| تجار الأجهزة حزمة | D2PAK | TO-220AB | TO-220AB | TO-262 |
| حزمة / كيس | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
IRF640PBF MOSElectro-Films (EFI) / VishayIRF640NSTRRHRIRIRF640NSTRRIRIRF640NSTRLIRIRF640NSTRIRIRF640NPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 200V 18A TO220ABIRF640PBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 200V 18A TO220ABIRF640NLPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 200V 18A TO262IRF640NSTRRPBFInternational RectifierIRF640 - HEXFET POWER MOSFET
IRF640FPSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 200V 18A TO220FPIRF640NSIRIRF640LPBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 200V 18A TO262-3
IRF640NSTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 200V 18A D2PAKIRF640NSTRPBFIRIRF640NIRIRF640NLPBF MOSIRIRF640NS MOSIRIRF640NPBF MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.