مواصفات التكنولوجيا IRFS17N20D
المواصفات الفنية Infineon Technologies - IRFS17N20D والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Infineon Technologies - IRFS17N20D
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Infineon Technologies | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 5.5V @ 250µA | |
| فغس (ماكس) | ±30V | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | D2PAK | |
| سلسلة | HEXFET® | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 170mOhm @ 9.8A, 10V | |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 3.8W (Ta), 140W (Tc) | |
| حزمة / كيس | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| طَرد | Tube |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Surface Mount | |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 1100 pF @ 25 V | |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 50 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET الميزة | - | |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 200 V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 16A (Tc) |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Infineon Technologies IRFS17N20D.
| سمة المنتج |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | IRFS17N20D | IRFS11N50ATRLP | IRFS17N20DPBF | IRFS17N20DTRLP |
| الصانع | Infineon Technologies | Vishay Siliconix | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| فغس (ماكس) | ±30V | ±30V | ±30V | ±30V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 200 V | 500 V | 200 V | 200 V |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 3.8W (Ta), 140W (Tc) | 170W (Tc) | 3.8W (Ta), 140W (Tc) | 3.8W (Ta), 140W (Tc) |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 5.5V @ 250µA | 4V @ 250µA | 5.5V @ 250µA | 5.5V @ 250µA |
| طَرد | Tube | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تجار الأجهزة حزمة | D2PAK | TO-263AB | D2PAK | D2PAK |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 50 nC @ 10 V | 52 nC @ 10 V | 50 nC @ 10 V | 50 nC @ 10 V |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 1100 pF @ 25 V | 1423 pF @ 25 V | 1100 pF @ 25 V | 1100 pF @ 25 V |
| سلسلة | HEXFET® | - | HEXFET® | HEXFET® |
| حزمة / كيس | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 16A (Tc) | 11A (Tc) | 16A (Tc) | 16A (Tc) |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 170mOhm @ 9.8A, 10V | 520mOhm @ 6.6A, 10V | 170mOhm @ 9.8A, 10V | 170mOhm @ 9.8A, 10V |
| تصاعد نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| FET الميزة | - | - | - | - |
قم بتنزيل أوراق بيانات IRFS17N20D PDF ووثائق Infineon Technologies لـ IRFS17N20D - Infineon Technologies.
IRFS22N60C3IRIRFS1Z0IRIRFS11N50ATRLPVishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 11A TO263ABIRFS17N20DTRVBSEMIIRFS1470IRIRFS11N50ATRLPBFIRIRFS17N20DPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 200V 16A D2PAKIRFS17N20DPbF MOSIRIRFS17N20DTRLP MOSIRIRFS17N20D MOSIR
IRFS120LAPIS TechnologyIRFS11N50ATRIRIRFS140AIRFS17N20DTRLPInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 200V 16A D2PAKIRFS150SECIRFS1Z0TRIR/VISHAYIRFS123LAPIS Technology
IRFS150AFairchild SemiconductorN-CHANNEL POWER MOSFET| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.