مواصفات التكنولوجيا IRFS17N20DTRLP
المواصفات الفنية Infineon Technologies - IRFS17N20DTRLP والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Infineon Technologies - IRFS17N20DTRLP
سمة المنتج | قيمة السمة | |
---|---|---|
الصانع | Infineon Technologies | |
VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 5.5V @ 250µA | |
فغس (ماكس) | ±30V | |
تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
تجار الأجهزة حزمة | D2PAK | |
سلسلة | HEXFET® | |
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 170mOhm @ 9.8A, 10V | |
تبديد الطاقة (ماكس) | 3.8W (Ta), 140W (Tc) | |
حزمة / كيس | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
طَرد | Tape & Reel (TR) |
سمة المنتج | قيمة السمة | |
---|---|---|
درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
تصاعد نوع | Surface Mount | |
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 1100 pF @ 25 V | |
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 50 nC @ 10 V | |
نوع FET | N-Channel | |
FET الميزة | - | |
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | |
استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 200 V | |
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 16A (Tc) |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Infineon Technologies IRFS17N20DTRLP.
سمة المنتج | ||||
---|---|---|---|---|
رقم القطعة | IRFS17N20DTRLP | IRFS23N15D | IRFS150A | IRFS23N20D |
الصانع | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Fairchild Semiconductor | Infineon Technologies |
تجار الأجهزة حزمة | D2PAK | D2PAK | TO-3PF | D2PAK |
تبديد الطاقة (ماكس) | 3.8W (Ta), 140W (Tc) | 3.8W (Ta), 136W (Tc) | 100W (Tc) | 3.8W (Ta), 170W (Tc) |
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 170mOhm @ 9.8A, 10V | 90mOhm @ 14A, 10V | 40mOhm @ 15.5A, 10V | 100mOhm @ 14A, 10V |
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 50 nC @ 10 V | 56 nC @ 10 V | 97 nC @ 10 V | 86 nC @ 10 V |
تصاعد نوع | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 5.5V @ 250µA | 5.5V @ 250µA | 4V @ 250µA | 5.5V @ 250µA |
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 16A (Tc) | 23A (Tc) | 31A (Tc) | 24A (Tc) |
فغس (ماكس) | ±30V | ±30V | ±20V | ±30V |
طَرد | Tape & Reel (TR) | Tube | Bulk | Tube |
تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | 10V | 10V | 10V |
حزمة / كيس | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-3P-3 Full Pack | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 1100 pF @ 25 V | 1200 pF @ 25 V | 2270 pF @ 25 V | 1960 pF @ 25 V |
درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
سلسلة | HEXFET® | HEXFET® | - | HEXFET® |
FET الميزة | - | - | - | - |
استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 200 V | 150 V | 100 V | 200 V |
قم بتنزيل أوراق بيانات IRFS17N20DTRLP PDF ووثائق Infineon Technologies لـ IRFS17N20DTRLP - Infineon Technologies.
البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
---|---|---|
منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
البرازيل | 7 | |
أوروبا | ألمانيا | 5 |
المملكة المتحدة | 4 | |
إيطاليا | 5 | |
أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
نيوزيلندا | 5 | |
آسيا | الهند | 4 |
اليابان | 4 | |
الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
مرجع شحن DHL & FedEx | |
---|---|
رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.