مواصفات التكنولوجيا IRFW520ATM
المواصفات الفنية Fairchild Semiconductor - IRFW520ATM والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Fairchild Semiconductor - IRFW520ATM
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Fairchild (onsemi) | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 4V @ 250µA | |
| فغس (ماكس) | ±20V | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | D2PAK | |
| سلسلة | - | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 200mOhm @ 4.6A, 10V | |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 3.8W (Ta), 45W (Tc) | |
| حزمة / كيس | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| طَرد | Bulk |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Surface Mount | |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 480 pF @ 25 V | |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 22 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET الميزة | - | |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 100 V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 9.2A (Tc) |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Fairchild Semiconductor IRFW520ATM.
| سمة المنتج |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | IRFW520ATM | IRFW530ATM | IRFW540ATM | IRFW540ATM |
| الصانع | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | onsemi |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 200mOhm @ 4.6A, 10V | 110mOhm @ 7A, 10V | 52mOhm @ 14A, 10V | 52mOhm @ 14A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 3.8W (Ta), 45W (Tc) | 3.8W (Ta), 55W (Tc) | 3.8W (Ta), 107W (Tc) | 3.8W (Ta), 107W (Tc) |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 22 nC @ 10 V | 36 nC @ 10 V | 78 nC @ 10 V | 78 nC @ 10 V |
| حزمة / كيس | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET الميزة | - | - | - | - |
| تجار الأجهزة حزمة | D2PAK | D2PAK | D2PAK (TO-263) | D²PAK (TO-263) |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 9.2A (Tc) | 14A (Tc) | 28A (Tc) | 28A (Tc) |
| تصاعد نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 100 V | 100 V | 100 V | 100 V |
| سلسلة | - | - | - | - |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 480 pF @ 25 V | 790 pF @ 25 V | 1710 pF @ 25 V | 1710 pF @ 25 V |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| طَرد | Bulk | Bulk | Bulk | Tape & Reel (TR) |
| فغس (ماكس) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
IRFW530ATMFairchild SemiconductorN-CHANNEL POWER MOSFETIRFW540ATMFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 100V 28A D2PAKIRFW540ASECIRFW550AFairchild (onsemi)IRFUC020PBFIRIRFW540ATMonsemiMOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
IRFU9N20DInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 200V 9.4A IPAK
IRFUC20PBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 600V 2A TO251AA
IRFW530ATM MOSSamsung SemiconductorIRFUC20Vishay SiliconixMOSFET N-CH 600V 2A TO251AAIRFW530ATM-NLFairchild (onsemi)IRFW550ATMFairchild Semiconductor40A, 100V, 0.04OHM, N-CHANNEL MO
IRFUC20PBF FUC20Electro-Films (EFI) / VishayIRFUC20PBF MOSIRIRFW510ATMFairchild (onsemi)IRFW540ATM MOSIRIRFUC20 MOSIRIRFU9N20DPBFIR| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.