مواصفات التكنولوجيا FQS4900TF
المواصفات الفنية Fairchild Semiconductor - FQS4900TF والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Fairchild Semiconductor - FQS4900TF
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Fairchild (onsemi) | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 1.95V @ 20mA | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | 8-SOIC | |
| سلسلة | QFET® | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 550mOhm @ 650mA, 10V | |
| السلطة - ماكس | 2W | |
| حزمة / كيس | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| طَرد | Bulk |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Surface Mount | |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | - | |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 2.1nC @ 5V | |
| FET الميزة | - | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 60V, 300V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 1.3A, 300mA | |
| ترتيب | N and P-Channel | |
| رقم المنتج الأساسي | FQS4900 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Fairchild Semiconductor FQS4900TF.
| سمة المنتج |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | FQS4900TF | FQS4903TF | IRF7325 | FQS4901TF |
| الصانع | Fairchild Semiconductor | onsemi | Infineon Technologies | onsemi |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 1.95V @ 20mA | 4V @ 250µA | 900mV @ 250µA | 4V @ 250µA |
| السلطة - ماكس | 2W | 2W | 2W | 2W |
| تصاعد نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| FET الميزة | - | - | Logic Level Gate | - |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| سلسلة | QFET® | QFET® | HEXFET® | QFET® |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 2.1nC @ 5V | 8.2nC @ 10V | 33nC @ 4.5V | 7.5nC @ 10V |
| طَرد | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) |
| تجار الأجهزة حزمة | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-SO | 8-SOIC |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | - | 200pF @ 25V | 2020pF @ 10V | 210pF @ 25V |
| ترتيب | N and P-Channel | 2 N-Channel (Dual) | 2 P-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) |
| حزمة / كيس | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| رقم المنتج الأساسي | FQS4900 | FQS4903 | IRF732 | FQS4901 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 60V, 300V | 500V | 12V | 400V |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 1.3A, 300mA | 370mA | 7.8A | 450mA |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 550mOhm @ 650mA, 10V | 6.2Ohm @ 185mA, 10V | 24mOhm @ 7.8A, 4.5V | 4.2Ohm @ 225mA, 10V |
FQS4903TFonsemiMOSFET 2N-CH 500V 0.37A 8SOP
FQS4410AMI Semiconductor/onsemi
FQS4410-NLFairchild (onsemi)IRF7325Infineon TechnologiesMOSFET 2P-CH 12V 7.8A 8-SOICFQS4901TFonsemiMOSFET 2N-CH 400V 450MA 8SOIC
IRF7335D1TRInfineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 30V 10A 14-SOICFQS4900AMI Semiconductor/onsemi
CAS100H12AM1Cree WolfspeedMOSFET 2N-CH 1200V 168A MODULE
SI6963BDQ-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2P-CH 20V 3.4A 8-TSSOP
IAUC60N04S6N031HATMA1Infineon TechnologiesIAUC60N04S6N031HATMA1FQS4900TF MOSFairchild (onsemi)FQS4903TF MOSFairchild (onsemi)FQS4901TFFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 0
NTGD3133PT1GonsemiMOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6TSOP
STS4DPF20LSTMicroelectronicsMOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOICFQS4900TF.Fairchild (onsemi)FQS4900TFonsemiMOSFET N/P-CH 60V/300V 8SOPAO4622Alpha & Omega Semiconductor Inc.MOSFET N/P-CH 20V 7.3A/5A 8-SOIC| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.