مواصفات التكنولوجيا 1N1187
المواصفات الفنية GeneSiC Semiconductor - 1N1187 والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ GeneSiC Semiconductor - 1N1187
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | GeneSiC Semiconductor | |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1.2 V @ 35 A | |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 300 V | |
| تكنولوجيا | Standard | |
| تجار الأجهزة حزمة | DO-5 | |
| سرعة | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| سلسلة | - | |
| حزمة / كيس | DO-203AB, DO-5, Stud |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| طَرد | Bulk | |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -65°C ~ 190°C | |
| تصاعد نوع | Chassis, Stud Mount | |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 10 µA @ 50 V | |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 35A | |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | - | |
| رقم المنتج الأساسي | 1N1187 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ GeneSiC Semiconductor 1N1187.
| سمة المنتج |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | 1N1187 | 1N1187 | 1N1186R | 1N1188A |
| الصانع | GeneSiC Semiconductor | Microchip Technology | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | - | - | - | - |
| سلسلة | - | - | - | - |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -65°C ~ 190°C | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 190°C | -65°C ~ 200°C |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 300 V | 300 V | 200 V | 400 V |
| سرعة | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| تصاعد نوع | Chassis, Stud Mount | Stud Mount | Chassis, Stud Mount | Chassis, Stud Mount |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 10 µA @ 50 V | 10 µA @ 300 V | 10 µA @ 50 V | 10 µA @ 50 V |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1.2 V @ 35 A | 1.19 V @ 90 A | 1.2 V @ 35 A | 1.1 V @ 40 A |
| رقم المنتج الأساسي | 1N1187 | 1N1187 | 1N1186R | 1N1188 |
| تكنولوجيا | Standard | Standard | Standard, Reverse Polarity | Standard |
| حزمة / كيس | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 35A | 40A | 35A | 40A |
| طَرد | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| تجار الأجهزة حزمة | DO-5 | DO-203AB (DO-5) | DO-5 | DO-5 |
قم بتنزيل أوراق بيانات 1N1187 PDF ووثائق GeneSiC Semiconductor لـ 1N1187 - GeneSiC Semiconductor.
1N1187Microchip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N1186RGeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP REV 200V 35A DO51N1188AGeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP 400V 40A DO5
1N1187RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 300V 40A DO51N1186RMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N1186RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 200V 40A DO51N1186RASolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 12A DO41N1188GeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP 400V 35A DO51N1187RMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N1188AMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N1187Solid State Inc.DIODE GEN PURP 300V 40A DO51N1186ARGeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP REV 200V 40A DO51N1186AGeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP 200V 40A DO51N1186ARMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N1187RGeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP REV 300V 35A DO51N1188Microchip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N1186CIRIGBT Module1N1188Solid State Inc.DIODE GEN PURP 400V 40A DO5| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.