مواصفات التكنولوجيا 1N1188
المواصفات الفنية Solid State Inc. - 1N1188 والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Solid State Inc. - 1N1188
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Solid State Inc. | |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1.19 V @ 90 A | |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 400 V | |
| تكنولوجيا | Standard | |
| تجار الأجهزة حزمة | DO-5 | |
| سرعة | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| سلسلة | - |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| حزمة / كيس | DO-203AB, DO-5, Stud | |
| طَرد | Box | |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -65°C ~ 200°C | |
| تصاعد نوع | Stud Mount | |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 10 µA @ 400 V | |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 40A | |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | - |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Solid State Inc. 1N1188.
| سمة المنتج |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | 1N1188 | 1N1187R | 1N1188A | 1N1186R |
| الصانع | Solid State Inc. | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor | Solid State Inc. |
| طَرد | Box | Bulk | Bulk | Box |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 190°C | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C |
| سلسلة | - | - | - | - |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 10 µA @ 400 V | 10 µA @ 50 V | 10 µA @ 50 V | 10 µA @ 200 V |
| سرعة | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| تجار الأجهزة حزمة | DO-5 | DO-5 | DO-5 | DO-5 |
| حزمة / كيس | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud |
| تكنولوجيا | Standard | Standard, Reverse Polarity | Standard | Standard, Reverse Polarity |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 400 V | 300 V | 400 V | 200 V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 40A | 35A | 40A | 40A |
| تصاعد نوع | Stud Mount | Chassis, Stud Mount | Chassis, Stud Mount | Stud Mount |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | - | - | - | - |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1.19 V @ 90 A | 1.2 V @ 35 A | 1.1 V @ 40 A | 1.19 V @ 90 A |
قم بتنزيل أوراق بيانات 1N1188 PDF ووثائق Solid State Inc. لـ 1N1188 - Solid State Inc..
1N1187RGeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP REV 300V 35A DO51N1188AGeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP 400V 40A DO51N1186RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 200V 40A DO51N1188GeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP 400V 35A DO5
1N1188AMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N1186RGeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP REV 200V 35A DO5
1N1188ASolid State Inc.DIODE GEN PURP 400V 40A DO51N1188Microchip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N1187Solid State Inc.DIODE GEN PURP 300V 40A DO51N1187RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 300V 40A DO51N1187GeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP 300V 35A DO51N1187RMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N1186RASolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 12A DO41N1188ARGeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP REV 400V 40A DO51N1188CIRIGBT Module1N1188RGeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP REV 400V 35A DO51N1188ARMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N1187Microchip TechnologySTANDARD RECTIFIER| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.