مواصفات التكنولوجيا 1N3213
المواصفات الفنية GeneSiC Semiconductor - 1N3213 والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ GeneSiC Semiconductor - 1N3213
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | GeneSiC Semiconductor | |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1.5 V @ 15 A | |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 500 V | |
| تكنولوجيا | Standard | |
| تجار الأجهزة حزمة | DO-5 | |
| سرعة | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| سلسلة | - | |
| حزمة / كيس | DO-203AB, DO-5, Stud |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| طَرد | Bulk | |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -65°C ~ 175°C | |
| تصاعد نوع | Chassis, Stud Mount | |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 10 µA @ 50 V | |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 15A | |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | - | |
| رقم المنتج الأساسي | 1N3213 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ GeneSiC Semiconductor 1N3213.
| سمة المنتج |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | 1N3213 | 1N3212R | 1N3211R | 1N3212R |
| الصانع | GeneSiC Semiconductor | Solid State Inc. | GeneSiC Semiconductor | Microchip Technology |
| تكنولوجيا | Standard | Standard, Reverse Polarity | Standard, Reverse Polarity | Standard, Reverse Polarity |
| سرعة | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1.5 V @ 15 A | 1.19 V @ 90 A | 1.5 V @ 15 A | 1.19 V @ 90 A |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 200°C |
| طَرد | Bulk | Box | Bulk | Bulk |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 15A | 40A | 15A | 40A |
| حزمة / كيس | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud |
| رقم المنتج الأساسي | 1N3213 | - | 1N3211R | 1N3212 |
| سلسلة | - | - | - | - |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 500 V | 400 V | 300 V | 400 V |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 10 µA @ 50 V | 10 µA @ 400 V | 10 µA @ 50 V | 10 µA @ 400 V |
| تصاعد نوع | Chassis, Stud Mount | Stud Mount | Chassis, Stud Mount | Stud Mount |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | - | - | - | - |
| تجار الأجهزة حزمة | DO-5 | DO-5 | DO-5 | DO-203AB (DO-5) |
قم بتنزيل أوراق بيانات 1N3213 PDF ووثائق GeneSiC Semiconductor لـ 1N3213 - GeneSiC Semiconductor.
1N3212RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 400V 40A DO51N3211RGeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP REV 300V 15A DO51N3212RMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3212Solid State Inc.DIODE GEN PURP 400V 40A DO51N3212Microchip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3213RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 500V 40A DO51N3214GeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP 600V 15A DO51N3214RMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3213Solid State Inc.DIODE GEN PURP 500V 40A DO51N3213Microchip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3214RGeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP REV 600V 15A DO51N3213RGeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP REV 500V 15A DO51N3213RMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3212RGeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP REV 400V 15A DO51N3214Solid State Inc.DIODE GEN PURP 600V 40A DO51N3211RMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3214Microchip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3212GeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP 400V 15A DO5| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.