مواصفات التكنولوجيا 1N3213R
المواصفات الفنية GeneSiC Semiconductor - 1N3213R والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ GeneSiC Semiconductor - 1N3213R
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | GeneSiC Semiconductor | |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1.5 V @ 15 A | |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 500 V | |
| تكنولوجيا | Standard, Reverse Polarity | |
| تجار الأجهزة حزمة | DO-5 | |
| سرعة | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| سلسلة | - | |
| حزمة / كيس | DO-203AB, DO-5, Stud |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| طَرد | Bulk | |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -65°C ~ 175°C | |
| تصاعد نوع | Chassis, Stud Mount | |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 10 µA @ 50 V | |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 15A | |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | - | |
| رقم المنتج الأساسي | 1N3213R |
| يصف | وصف |
|---|---|
| حالة RoHs | بنفايات المتوافقة |
| مستوى حساسية الرطوبة (MSL) | 1 (Unlimited) |
| الوصول إلى الحالة | |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ GeneSiC Semiconductor 1N3213R.
| سمة المنتج |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | 1N3213R | 1N3214R | 1N3213R | 1N3214 |
| الصانع | GeneSiC Semiconductor | Microchip Technology | Microchip Technology | Solid State Inc. |
| تجار الأجهزة حزمة | DO-5 | DO-203AB (DO-5) | DO-203AB (DO-5) | DO-5 |
| سلسلة | - | - | - | - |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 500 V | 600 V | 500 V | 600 V |
| تصاعد نوع | Chassis, Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount |
| طَرد | Bulk | Bulk | Bulk | Box |
| سرعة | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| رقم المنتج الأساسي | 1N3213R | 1N3214 | 1N3213 | - |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 15A | 40A | 40A | 40A |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 10 µA @ 50 V | 10 µA @ 600 V | 10 µA @ 500 V | 10 µA @ 600 V |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1.5 V @ 15 A | 1.19 V @ 90 A | 1.19 V @ 90 A | 1.19 V @ 90 A |
| حزمة / كيس | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C |
| تكنولوجيا | Standard, Reverse Polarity | Standard, Reverse Polarity | Standard, Reverse Polarity | Standard |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | - | - | - | - |
قم بتنزيل أوراق بيانات 1N3213R PDF ووثائق GeneSiC Semiconductor لـ 1N3213R - GeneSiC Semiconductor.
1N3214RMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3213RMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3214Solid State Inc.DIODE GEN PURP 600V 40A DO5
1N3214RGeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP REV 600V 15A DO51N3214GeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP 600V 15A DO5
1N3260Powerex Inc.DIODE GP 50V 160A DO205AB DO91N3213Solid State Inc.DIODE GEN PURP 500V 40A DO51N3213GeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP 500V 15A DO51N3212RGeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP REV 400V 15A DO51N3212RMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER
1N3260Solid State Inc.DIODE GEN PURP 50V 275A DO91N3214RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 600V 40A DO51N3212GeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP 400V 15A DO51N3213Microchip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3213RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 500V 40A DO51N3214Microchip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3212RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 400V 40A DO51N3260Microchip TechnologySTANDARD RECTIFIER| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ يرجى إضافة إلى CART ، وسوف نتصل بك على الفور.