مواصفات التكنولوجيا 1N3260
المواصفات الفنية Solid State Inc. - 1N3260 والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Solid State Inc. - 1N3260
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Solid State Inc. | |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1.3 V @ 300 A | |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 50 V | |
| تكنولوجيا | Standard | |
| تجار الأجهزة حزمة | DO-9 | |
| سرعة | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| سلسلة | - |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| حزمة / كيس | DO-205AB, DO-9, Stud | |
| طَرد | Box | |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -65°C ~ 190°C | |
| تصاعد نوع | Stud Mount | |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 75 µA @ 50 V | |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 275A | |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | - |
| يصف | وصف |
|---|---|
| حالة RoHs | |
| مستوى حساسية الرطوبة (MSL) | 1 (Unlimited) |
| الوصول إلى الحالة | Vendor Undefined |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Solid State Inc. 1N3260.
| سمة المنتج |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | 1N3260 | 1N3214 | 1N3214R | 1N3261R |
| الصانع | Solid State Inc. | Solid State Inc. | Solid State Inc. | Microchip Technology |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -65°C ~ 190°C | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 190°C |
| تجار الأجهزة حزمة | DO-9 | DO-5 | DO-5 | DO-205AB (DO-9) |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1.3 V @ 300 A | 1.19 V @ 90 A | 1.19 V @ 90 A | 1.3 V @ 300 A |
| حزمة / كيس | DO-205AB, DO-9, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-205AB, DO-9, Stud |
| تصاعد نوع | Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount |
| طَرد | Box | Box | Box | Bulk |
| تكنولوجيا | Standard | Standard | Standard, Reverse Polarity | Standard, Reverse Polarity |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | - | - | - | - |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 75 µA @ 50 V | 10 µA @ 600 V | 10 µA @ 600 V | 75 µA @ 100 V |
| سلسلة | - | - | - | - |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 275A | 40A | 40A | 275A |
| سرعة | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 50 V | 600 V | 600 V | 100 V |
قم بتنزيل أوراق بيانات 1N3260 PDF ووثائق Solid State Inc. لـ 1N3260 - Solid State Inc..
1N3214Solid State Inc.DIODE GEN PURP 600V 40A DO51N3214RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 600V 40A DO51N3261RMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER
1N3260Powerex Inc.DIODE GP 50V 160A DO205AB DO91N3261Solid State Inc.DIODE GEN PURP 100V 275A DO9
1N3213RGeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP REV 500V 15A DO51N3261Powerex Inc.DIODE GP 100V 160A DO205AB DO91N3214RGeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP REV 600V 15A DO51N3214Microchip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3261RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 100V 275A DO91N3261RPowerex Inc.DIODE GP REV 100V 160A DO205AB1N3260RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 50V 275A DO91N3260RPowerex Inc.DIODE GP REV 50V 160A DO205AB1N3214GeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP 600V 15A DO51N3214RMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3261Microchip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3260RMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3260Microchip TechnologySTANDARD RECTIFIER| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ يرجى إضافة إلى CART ، وسوف نتصل بك على الفور.