مواصفات التكنولوجيا 1N3892
المواصفات الفنية GeneSiC Semiconductor - 1N3892 والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ GeneSiC Semiconductor - 1N3892
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | GeneSiC Semiconductor | |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1.4 V @ 12 A | |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 400 V | |
| تكنولوجيا | Standard | |
| تجار الأجهزة حزمة | DO-4 | |
| سرعة | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| سلسلة | - | |
| عكس وقت الاسترداد (TRR) | 200 ns |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| حزمة / كيس | DO-203AA, DO-4, Stud | |
| طَرد | Bulk | |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -65°C ~ 150°C | |
| تصاعد نوع | Chassis, Stud Mount | |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 25 µA @ 50 V | |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 12A | |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | - | |
| رقم المنتج الأساسي | 1N3892 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ GeneSiC Semiconductor 1N3892.
| سمة المنتج |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | 1N3892 | 1N3892R | 1N3891 | 1N3891AR |
| الصانع | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor | Microchip Technology | Microchip Technology |
| طَرد | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | - | - | 115pF @ 10V, 1MHz | - |
| تكنولوجيا | Standard | Standard, Reverse Polarity | Standard | Standard, Reverse Polarity |
| حزمة / كيس | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C |
| رقم المنتج الأساسي | 1N3892 | 1N3892R | - | 1N3891 |
| سلسلة | - | - | Military, MIL-PRF-19500/304 | Military, MIL-PRF-19500/304 |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1.4 V @ 12 A | 1.4 V @ 12 A | 1.5 V @ 38 A | 1.5 V @ 38 A |
| تجار الأجهزة حزمة | DO-4 | DO-4 | DO-203AA (DO-4) | DO-203AA (DO-4) |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 25 µA @ 50 V | 25 µA @ 50 V | 25 µA @ 50 V | 10 µA @ 200 V |
| سرعة | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 12A | 12A | 12A | 20A |
| تصاعد نوع | Chassis, Stud Mount | Chassis, Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 400 V | 400 V | 200 V | 200 V |
| عكس وقت الاسترداد (TRR) | 200 ns | 200 ns | 200 ns | 150 ns |
قم بتنزيل أوراق بيانات 1N3892 PDF ووثائق GeneSiC Semiconductor لـ 1N3892 - GeneSiC Semiconductor.
1N3892RGeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP REV 400V 12A DO41N3891Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
1N3891ASolid State Inc.12 AMP FAST RECOVERY RECTIFIER D1N3892JANMSC/STIGBT Module1N3892MMSC/STIGBT Module1N3892JANTXMSC/STIGBT Module1N3892ASolid State Inc.12 AMP FAST RECOVERY RECTIFIER D1N3891ARMicrochip TechnologyFAST RECOVERY RECTIFIER1N3891RMicrochip TechnologyFAST RECOVERY RECTIFIER1N3892ARMicrochip TechnologyFAST RECOVERY RECTIFIER1N3892Solid State Inc.DIODE GEN PURP 300V 12A DO41N3892RASolid State Inc.12 AMP FAST RECOVERY RECTIFIER D1N3892RMicrochip TechnologyFAST RECOVERY RECTIFIER1N3892AMicrochip TechnologyFAST RECOVERY RECTIFIER1N3891AMicrochip TechnologyFAST RECOVERY RECTIFIER1N3891Solid State Inc.DIODE GEN PURP 200V 12A DO41N3892Microchip TechnologyFAST RECOVERY RECTIFIER1N3891RGeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP REV 200V 12A DO4| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.